[發(fā)明專利]一種改善PMOS器件載流子遷移率的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110222150.3 | 申請(qǐng)日： | 2011-08-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102427043A | 公開（公告）日： | 2012-04-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 謝欣云;陳玉文 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/336 | 分類號(hào)： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 改善 pmos 器件 載流子 遷移率 方法 | ||
1.一種改善PMOS器件載流子遷移率的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1：在一硅襯底上生長基底氧化物層后，采用去耦等離子氮化工藝，氮化該基底氧化物層；
步驟S2：采用快速氮化退火工藝修復(fù)去耦等離子氮化工藝時(shí)的等離子損傷及氮?dú)馀菽{(diào)剖工藝，淀積多晶硅柵；
其中,?修復(fù)后的氧化物層中的氮遠(yuǎn)離其與硅襯底的接觸面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善PMOS器件載流子遷移率的方法，其特征在于，采用快速加熱氧化工藝或原位水氣生成工藝，在硅襯底上生長基底氧化物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善PMOS器件載流子遷移率的方法，其特征在于，基底氧化物層的厚度為10-15A。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善PMOS器件載流子遷移率的方法，其特征在于，氮化基底氧化物層的氮的劑量為2E15atom/cm2-5E15atom/cm2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善PMOS器件載流子遷移率的方法，其特征在于，去耦等離子氮化工藝采用軟等離子進(jìn)行氮化工藝。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善PMOS器件載流子遷移率的方法，其特征在于，快速氮化退火工藝的溫度為1000-1100℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善PMOS器件載流子遷移率的方法，其特征在于，快速氮化退火工藝的退火時(shí)間為10-50秒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善PMOS器件載流子遷移率的方法，其特征在于，基底氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
