[發(fā)明專利]電阻型存儲器的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110221864.2
• 申請日: 2011-08-04
• 公開（公告）號: CN102254803A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王慰
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇暢微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L45/00
• 代理公司: 北京五洲洋和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11387
• 代理人: 張向琨;劉春成

1.一種電阻型存儲器的制備方法，其特征在于，包括步驟：

對下電極構(gòu)圖，對所述下電極進行氧離子注入，以使下電極形成氧化物存儲介質(zhì)層；

對所述氧化物存儲介質(zhì)層進行退火處理；以及

在所述氧化物存儲介質(zhì)層上構(gòu)圖并形成上電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻型存儲器的制備方法，其特征在于，對下電極構(gòu)圖包括在所述下電極上設(shè)置覆蓋介質(zhì)層以及在所述覆蓋介質(zhì)層中開設(shè)使所述下電極暴露的開孔，對所述下電極進行氧離子注入是通過所述開孔進行的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻型存儲器的制備方法，其特征在于，對所述下電極進行氧離子注入的注入溫度低于等離子體氧化或熱氧化法產(chǎn)生氧化物存儲介質(zhì)層的加熱溫度，注入溫度優(yōu)選為200℃以下、再優(yōu)選為室溫～100℃、更優(yōu)選為室溫～50℃、最優(yōu)選為室溫。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻型存儲器的制備方法，其特征在于，所述下電極選自Ta、TaN、Cu、W、Ti、TiN、Zr、Ni、Co、Ce、In、Fe、Cr、Mn、Al、Ag、Hf、Mg、V、Sn。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電阻型存儲器的制備方法，其特征在于，所述下電極為大馬士革銅互連工藝中形成于溝槽中的銅引線，所述氧化物存儲介質(zhì)層為Cu_xO基存儲介質(zhì)層，其中1＜x≤2。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電阻型存儲器的制備方法，其特征在于，對于所述銅引線而言，在進行氧離子注入形成氧化物存儲介質(zhì)層的步驟中，氧離子的注入劑量為1×10⁸/cm²～1×10¹⁸/cm²、更優(yōu)選為1×10¹⁰/cm²～1×10¹⁶/cm²。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電阻型存儲器的制備方法，其特征在于，對于所述銅引線而言，在進行氧離子注入形成氧化物存儲介質(zhì)層的步驟中，氧離子注入能量為500e～500ke、更優(yōu)選為5ke～100ke。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電阻型存儲器的制備方法，其特征在于，對于所述銅引線而言，在進行氧離子注入形成氧化物存儲介質(zhì)層的步驟中，注入壓力為真空、優(yōu)選小于2×10^-3Pa、更優(yōu)選小于1×10^-3Pa。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電阻型存儲器的制備方法，其特征在于，對于所述銅引線而言，對所述氧化物存儲介質(zhì)層進行退火處理時，退火溫度為50℃～800℃、優(yōu)選200℃～500℃、更優(yōu)選300℃～450℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電阻型存儲器的制備方法，其特征在于，對于所述銅引線而言，對所述氧化物存儲介質(zhì)層進行退火處理時，退火時間為1s～1h、優(yōu)選為0.5min～5min。