[發(fā)明專利]一種TFT陣列基板檢測方法及檢測裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110221361.5
• 申請日: 2011-08-03
• 公開（公告）號: CN102654658A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設計）人: 裴曉光;卜云龍
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13;G01R31/02;G01R31/08
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發(fā)明涉及液晶顯示器制造領域，尤其涉及一種TFT(Thin?Film?Tansistor，薄膜場效應晶體管)陣列基板檢測方法及檢測裝置。

背景技術

在TFT陣列基板的檢測工藝過程中，檢測設備需要通過探針將檢測信號加入到TFT陣列基板上，給像素電極充電，然后通過調(diào)節(jié)器(Modulator)模擬液晶顯示器的顯示原理進行檢測。在對像素電極充電完成之后，檢測設備檢測像素電極的電壓大小，并將像素電極上的電壓值與預先設置各種不良的電壓值進行比對，從而確定TFT陣列基板的不良種類。

在實現(xiàn)上述TFT陣列基板檢測的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術中至少存在如下問題：當TFT陣列基板的數(shù)據(jù)線斷開時，斷點后的所有像素電極都不能充電，因此檢測設備只能檢測到數(shù)據(jù)線斷開的第一個斷點。若該斷點之后仍有其他斷開，則無法檢測到，所以即使在該第一斷點修復之后，TFT陣列基板仍會存在不良，因此，現(xiàn)有的檢測方法、檢測設備對陣列基板數(shù)據(jù)線的不良完全檢出率低下，致使產(chǎn)品產(chǎn)出不良率較大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例提供一種TFT陣列基板檢測方法及檢測裝置，能夠提高TFT陣列基板數(shù)據(jù)線的不良完全檢出率。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案：

一種TFT陣列基板檢測方法，包括：向TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線提供正負交替的周期性測試電壓信號；從每條數(shù)據(jù)線的一端，以規(guī)定的間隔連續(xù)采集電壓至另一端，得到連續(xù)的采集電壓值；根據(jù)所述采集電壓值的一個或多個突變，確定所述數(shù)據(jù)線出現(xiàn)一個或多個不良。

一種TFT陣列基板檢測裝置，包括：測試電壓加載單元，用于向TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線提供正負交替的周期性測試電壓信號；電壓采集單元，用于從每條數(shù)據(jù)線的一端，以規(guī)定的間隔連續(xù)采集電壓至另一端，得到連續(xù)的采集電壓值；判斷單元，用于根據(jù)所述采集電壓值的一個或多個突變，確定所述數(shù)據(jù)線出現(xiàn)一個或多個不良。

本發(fā)明實施例提供的TFT陣列基板檢測方法及檢測裝置，向TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線提供正負交替的周期性測試電壓信號；從每條數(shù)據(jù)線的一端，以規(guī)定的間隔連續(xù)采集電壓至另一端，得到連續(xù)的采集電壓值；根據(jù)該采集電壓值的一個或多個突變，確定數(shù)據(jù)線出現(xiàn)一個或多個不良。這樣，通過一次檢測就可以確定出數(shù)據(jù)線出現(xiàn)的不良數(shù)量，從而提高了TFT陣列基板數(shù)據(jù)線不良完全檢出率，有助于提高產(chǎn)品的產(chǎn)出良品率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的TFT陣列基板檢測方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的TFT陣列基板檢測方法的測試電路回路；

圖3為本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)線無不良的采集電壓值圖形；

圖4為本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)線無不良的等效電路；

圖5為本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)線有一個斷點的等效電路；

圖6為本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)線有一個斷點的采集電壓值圖形；

圖7為本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)線有一個變薄點的等效電路；

圖8為本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)線有一個變薄點的采集電壓值圖形；

圖9為本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)線同時存在一個斷點和一個變薄點的等效電路；

圖10為本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)線同時存在一個斷點和一個變薄點的采集電壓值圖形；

圖11為本發(fā)明實施例提供的TFT陣列基板檢測裝置的結構示意圖；

圖12為本發(fā)明另一實施例提供的TFT陣列基板檢測裝置的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提供的TFT陣列基板檢測方法，如圖1所示，包括：

S101、向TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線提供正負交替的周期性測試電壓信號。

示例性的，該周期性測試電壓信號可以包括：交流電壓信號或鋸齒波電壓信號等。

S102、從每條數(shù)據(jù)線的一端，以規(guī)定的間隔連續(xù)采集電壓至另一端，得到連續(xù)的采集電壓值。