[發明專利]一種TFT陣列基板檢測方法及檢測裝置有效
| 申請號: | 201110221361.5 | 申請日: | 2011-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN102654658A | 公開(公告)日: | 2012-09-05 |
| 發明(設計)人: | 裴曉光;卜云龍 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/13 | 分類號: | G02F1/13;G01R31/02;G01R31/08 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 tft 陣列 檢測 方法 裝置 | ||
1.一種TFT陣列基板檢測方法,其特征在于,包括:
向TFT陣列基板上的數據線提供正負交替的周期性測試電壓信號;
從每條數據線的一端,以規定的間隔連續采集電壓至另一端,得到連續的采集電壓值;
根據所述采集電壓值的一個或多個突變,確定所述數據線出現一個或多個不良。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述從每條數據線的一端,以規定的間隔連續采集電壓至另一端,得到連續的采集電壓值包括:
以每條數據線的一端為數據線坐標原點,從所述數據線坐標原點開始,采集電壓至所述數據線的另一端,所述數據線的另一端為數據線坐標終點,得到與所述數據線坐標位置對應的采集電壓值圖形。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述根據所述采集電壓值的一個或多個突變,確定所述數據線出現一個或多個不良包括:
根據所述采集電壓值圖形的一個或多個突變所對應的數據線坐標位置,確定所述數據線出現一個或多個不良的位置。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,當數據線沒有不良時,所述采集電壓值的圖形從所述數據線坐標原點向所述數據線坐標終點線性遞減。
5.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,當所述采集電壓的突變為所述采集電壓值圖形中的斷點時,則確定所述采集電壓值圖形的斷點對應的所述數據線坐標位置存在斷點不良。
6.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,當所述采集電壓的突變為所述采集電壓值圖形中的規定斜率變化時,則確定所述采集電壓值圖形的斜率變化區域對應的所述數據線坐標位置存在變薄不良。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述周期性測試電壓信號包括交流電壓信號或鋸齒波電壓信號。
8.一種TFT陣列基板檢測裝置,其特征在于,包括:
測試電壓加載單元,用于向TFT陣列基板上的數據線提供正負交替的周期性測試電壓信號;
電壓采集單元,用于從每條數據線的一端,以規定的間隔連續采集電壓至另一端,得到連續的采集電壓值;
判斷單元,用于根據所述采集電壓值的一個或多個突變,確定所述數據線出現一個或多個不良。
9.根據權利要求8所述的裝置,其特征在于,所述電壓采集單元包括:
圖形生成模塊,用于以每條數據線的一端為數據線坐標原點,從所述數據線坐標原點開始,采集電壓至所述數據線的另一端,所述數據線的另一端為數據線坐標終點,得到與所述數據線坐標位置對應的采集電壓值圖形。
10.根據權利要求9所述的裝置,其特征在于,所述判斷單元包括:
不良確定模塊,用于根據所述采集電壓值圖形的一個或多個突變所對應的數據線坐標位置,確定所述數據線出現一個或多個不良的位置。
11.根據權利要求8所述的裝置,其特征在于,所述TFT陣列基板檢測裝置還包括:與各條數據線分別串聯的薄膜晶體管、電阻和參考電壓。
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