[發(fā)明專利]發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110220992.5
• 申請日: 2011-07-28
• 公開（公告）號: CN102347414A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 丁煥熙;李尚烈;裵貞赫;崔光基;宋俊午
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/10;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/14;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

技術(shù)領(lǐng)域

實施例涉及一種發(fā)光器件。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(LED)是一種半導(dǎo)體器件，用于將電能轉(zhuǎn)換的光。與諸如熒光燈和白熾燈的現(xiàn)有技術(shù)的光源作比較，LED具有諸如低功耗、半永久使用期限、快速響應(yīng)時間、安全性和環(huán)境友好。許多研究正在進(jìn)行以便將現(xiàn)有技術(shù)的光源替換為LED。此外，根據(jù)趨勢，LED正在越來越多被用作諸如多種燈和街燈的照明器件、液晶顯示器件的照明單元和室內(nèi)和室外位置的記分牌的光源。

發(fā)明內(nèi)容

實施例提供了一種具有新結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。

實施例也提供了一種防止靜電的發(fā)光器件。

在一個實施例中，一種發(fā)光器件包括：導(dǎo)電支撐構(gòu)件；發(fā)光部，其包括在所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，其中，所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電連接到所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件；靜電放電(ESD)保護(hù)部，其包括在所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；第一連接層，其將所述發(fā)光部的所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電連接到所述ESD保護(hù)部的所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及在所述ESD保護(hù)部和所述第一連接層上的保護(hù)構(gòu)件。

在另一個實施例中，一種發(fā)光器件包括：導(dǎo)電支撐構(gòu)件；發(fā)光部，其包括第一結(jié)構(gòu)層；靜電放電(ESD)保護(hù)部，其包括第二結(jié)構(gòu)層，其中，所述第一和第二結(jié)構(gòu)層包括在所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的有源層和在所述有源層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；第一和第二凹槽，其通過所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和所述有源層以暴露所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的Ga面區(qū)域；第一和第二保護(hù)層，其分別圍繞所述第一和第二凹槽的側(cè)表面；第一連接層，其用于通過所述第一保護(hù)層將所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的所述Ga面區(qū)域連接到所述ESD保護(hù)部的所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及保護(hù)構(gòu)件，其位于所述ESD保護(hù)部的所述第一連接層和所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上。

在附圖和下面的說明中闡述一個或多個實施例的細(xì)節(jié)。通過說明書和附圖并且通過權(quán)利要求，其他特征將顯而易見。

附圖說明

圖1是是根據(jù)實施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖。

圖2是N面區(qū)域和Ga面區(qū)域的視圖。

圖3是在N面區(qū)域和Ga面區(qū)域中的操作電壓特性的圖形。

圖4至16是圖示根據(jù)實施例的用于制造發(fā)光器件的處理的視圖。

圖17是根據(jù)實施例的包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的截面圖。

圖18是根據(jù)實施例的包括發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝的背光單元的視圖。

圖19是根據(jù)實施例的包括發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝的照明單元的透視圖。

具體實施方式

在實施例的說明中，可以明白，在層(或膜)、區(qū)域、圖案或組件被稱為在襯底、層(或膜)、區(qū)域、焊盤或圖案“上”或“下”時，它可以直接地在另一層或襯底上，或也可以存在插入層。此外，可以明白，當(dāng)層被稱為在另一層“下”時，它可以直接地在另一層下，并且也可以存在一個或多個插入層。此外，將基于附圖來進(jìn)行關(guān)于每層的“上”和“下”的引用。

以下，將參考附圖來描述實施例。在附圖中，為了說明的方便和清楚，每層的厚度或尺寸被夸大、省略或示意地圖示。此外，每一個元件的尺寸不整體反應(yīng)實際尺寸。

圖1是根據(jù)實施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖。

參見圖1，發(fā)光器件100包括：發(fā)光部101；靜電放電(ESD)保護(hù)部103；粘結(jié)層190，其支撐發(fā)光器件101和ESD保護(hù)部103；以及導(dǎo)電支撐構(gòu)件195。

發(fā)光部101包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110、有源層120、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130、第一歐姆接觸層150和電極198。ESD保護(hù)部103包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112、有源層122、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層132和第二歐姆接觸層152。

第一保護(hù)層140被設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的內(nèi)表面上，以將發(fā)光部101與ESD保護(hù)部103電分離。第一保護(hù)層140可以由SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃和TiO₂中的至少一種形成。

第一歐姆接觸層150被設(shè)置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130上方的內(nèi)部區(qū)域中，并且第二歐姆接觸層152被設(shè)置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層132上方的內(nèi)部區(qū)域中。

反射層160可以被設(shè)置在第一歐姆接觸層150上。反射層160可以反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)層135入射的光，以改善發(fā)光器件100的發(fā)光效率。