[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201110220992.5
• 申請日: 2011-07-28
• 公開（公告）號: CN102347414A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 丁煥熙;李尚烈;裵貞赫;崔光基;宋俊午
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/10;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/14;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

1.一種發光器件，包括：

導電支撐構件；

發光部，所述發光部包括所述導電支撐構件上的第一導電型半導體層、有源層和第二導電型半導體層，其中，所述第二導電型半導體層電連接到所述導電支撐構件；

靜電放電(ESD)保護部，所述靜電放電(ESD)保護部包括所述導電支撐構件上的第一導電型半導體層、有源層和第二導電型半導體層；

第一連接層，所述第一連接層將所述發光部的所述第一導電型半導體層電連接到所述ESD保護部的所述第二導電型半導體層；以及，

保護構件，所述保護構件在所述ESD保護部和所述第一連接層上。

2.根據權利要求1所述的發光器件，進一步包括：

第一歐姆接觸層，所述第一歐姆接觸層在所述發光部的所述第二導電型半導體層和所述導電支撐構件之間；以及

第二歐姆接觸層，所述第二歐姆接觸層在所述ESD保護部的所述第二導電型半導體層和所述導電支撐構件之間。

3.根據權利要求1或2所述的發光器件，進一步包括：

第二連接層，所述第二連接層將所述發光部的所述第二導電型半導體層電連接到所述ESD保護部的所述第一導電型半導體層。

4.根據權利要求1或2所述的發光器件，進一步包括：

反射層，所述反射層在所述第二連接層和所述第一歐姆接觸層之間。

5.根據權利要求4所述的發光器件，其中，

所述第二連接層接觸所述反射層和所述第一歐姆接觸層之一。

6.根據權利要求5所述的發光器件，其中，

所述保護構件覆蓋至少所述第一連接層。

7.根據權利要求3所述的發光器件，其中，

所述第二連接層被設置在所述發光部的所述第二導電型半導體層和所述導電支撐構件之間。

8.根據權利要求3所述的發光器件，進一步包括：

第一保護層，所述第一保護層圍繞所述第一和第二連接層中的每一個。

9.一種發光器件，包括：

導電支撐構件；

發光部，所述發光部包括第一結構層；

靜電放電(ESD)保護部，所述靜電放電(ESD)保護部包括第二結構層，其中，所述第一和第二結構層包括在所述導電支撐構件上的第一導電型半導體層、在所述第一導電型半導體層上的有源層和在所述有源層上的第二導電型半導體層；

第一和第二凹槽，所述第一和第二凹槽通過所述第一導電型半導體層和所述有源層，以暴露所述第二導電型半導體層的Ga面區域；

第一和第二保護層，所述第一和第二保護層分別圍繞所述第一和第二凹槽的側表面；

第一連接層，所述第一連接層通過所述第一保護層將所述第二導電型半導體層的所述Ga面區域連接到所述ESD保護部的所述第一導電型半導體層；以及，

保護構件，所述保護構件在所述第一連接層和所述ESD保護部的所述第一導電型半導體層上。

10.根據權利要求9所述的發光器件，進一步包括：

第二連接層，所述第二連接層將所述發光部的所述第一導電型半導體層通過所述第二保護層連接到所述ESD保護部的所述第二導電型半導體層；

第一歐姆接觸層，所述第一歐姆接觸層在所述發光部的所述第二導電型半導體層和所述導電支撐構件之間；以及

第二歐姆接觸層，所述第二歐姆接觸層在所述ESD保護部的所述第二導電型半導體層和所述導電支撐構件之間。

11.根據權利要求10所述的發光器件，其中，

所述第二連接層被設置在所述發光部的所述第二導電型半導體層和所述保護構件之間。

12.根據權利要求10或11所述的發光器件，進一步包括：

粘結層，所述粘結層在所述第二連接層和所述導電支撐構件之間。

13.根據權利要求12所述的發光器件，進一步包括：

反射層，所述反射層在所述第二連接層和所述第一歐姆接觸層之間。

14.根據權利要求13所述的發光器件，其中，

所述第二連接層接觸所述反射層和所述第一歐姆接觸層之一。

15.根據權利要求10所述的發光器件，其中，

所述第一和第二連接層中的每個由導電金屬材料來形成。