[發(fā)明專利]溝槽多晶硅過腐蝕臺(tái)階測試圖形及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110220937.6
• 申請日: 2011-08-03
• 公開（公告）號: CN102915999A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卞錚
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 杜娟娟;高為

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝方法，尤其涉及多晶硅回刻技術(shù)。

背景技術(shù)

在溝槽填充工藝中，獲得多晶硅（POLY）回刻后溝槽的臺(tái)階深度等參數(shù)，對于比如溝槽功率場效應(yīng)管（TRENCH?POWER?MOS）等電子器件的制程監(jiān)控至關(guān)重要。

獲得臺(tái)階深度的做法之一是切片。具體來說，就是從多個(gè)晶圓（wafer）中拿出一個(gè)，沿與溝槽垂直的方向?qū)⑵淝虚_，再通過顯微鏡等相關(guān)儀器獲得溝槽的深度。

另一個(gè)常規(guī)做法是通過監(jiān)測測試圖形實(shí)現(xiàn)。簡單地說，是在制造過程中相對于正常制造區(qū)域形成測試區(qū)域。該測試區(qū)域具有與正常制造區(qū)域相同的溝槽，通過測試測試區(qū)域中該溝槽的相關(guān)參數(shù)（比如深度）來獲得所需要的參數(shù)。

測試圖形，亦即凹槽的寬度如果太小，則可能無法使臺(tái)階儀獲得正確的掃描參數(shù)，太寬又可能因多晶硅在凹槽內(nèi)的填充特性造成側(cè)壁高而中間低無法獲取正確的結(jié)果。因此，受測試圖形寬度的限制，當(dāng)前的測試圖形無法太寬，卻又在當(dāng)前寬度下有可能使臺(tái)階儀未獲得正確的掃描參數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種用于溝槽多晶硅過腐蝕臺(tái)階測試的測試圖形，以有效解決上述問題。根據(jù)本發(fā)明，所述測試圖形是被形成在襯底上的溝槽，所述溝槽包括底面和從所述底面延伸出的兩個(gè)側(cè)面，其中，所述溝槽是以使其縱長方向與晶片劃片槽的縱長方向形成非90o的預(yù)定角度的方式形成在所述襯底上的。

本發(fā)明所述的測試圖形，優(yōu)選地，所述預(yù)定角度等于或大于10o。更優(yōu)選地，所述預(yù)定角度等于或大于30o。

本發(fā)明所述的測試圖形，優(yōu)選地，所述溝槽的寬度在0.18微米到0.36微米之間。更優(yōu)選地，所述溝槽的寬度在0.2微米到0.35微米之間。

本發(fā)明所述的測試圖形，優(yōu)選地，所述溝槽的深度在0.98微米到2.02微米之間。更優(yōu)選地，所述溝槽的深度在1微米到2微米之間。

本發(fā)明還提供一種形成用于溝槽多晶硅過腐蝕臺(tái)階測試的測試圖形的方法，包括在襯底上形成溝槽，所述溝槽包括底面和從底面延伸出的兩個(gè)側(cè)面，其中，以使所述溝槽的縱長方向與晶片劃片槽的縱長方向形成非90o的預(yù)定角度的方式在所述襯底上形成所述溝槽。

本發(fā)明所述的形成用于溝槽多晶硅過腐蝕臺(tái)階測試的測試圖形的方法，優(yōu)選地，所述預(yù)定角度等于或大于10o以上。更優(yōu)選地，所述預(yù)定角度等于或大于30o。

本發(fā)明所述的形成用于溝槽多晶硅過腐蝕臺(tái)階測試的測試圖形的方法，優(yōu)選地，所述溝槽的寬度在0.18微米到0.36微米之間。更優(yōu)選地，所述溝槽的寬度在0.2微米到0.35微米之間。

本發(fā)明所述的形成用于溝槽多晶硅過腐蝕臺(tái)階測試的測試圖形的方法，優(yōu)選地，所述溝槽的深度在0.98微米到2.02微米之間。更優(yōu)選地，所述溝槽的深度在1微米到2微米之間。

本發(fā)明所述的形成用于溝槽多晶硅過腐蝕臺(tái)階測試的測試圖形的方法，優(yōu)選地，在所述硅襯底上形成多個(gè)所述溝槽。

根據(jù)本發(fā)明，在可以保持常規(guī)技術(shù)中溝槽的寬度不變的情況下，使得臺(tái)階掃描設(shè)備獲得更長的掃描長度，從而更準(zhǔn)確地獲得掃描參數(shù)。

附圖說明

圖1為常規(guī)的測試圖形的俯視圖的示意；

圖2為圖1所示的測試圖形在A-A處的剖視圖的示意；

圖3為臺(tái)階儀對圖1所示的測試圖形的掃描結(jié)果；

圖4為溝槽寬度增加后的測試圖形示意；

圖5為圖4所示的測試圖形在A-A處的剖視圖的示意；

圖6為臺(tái)階儀對圖4所示的測試圖形的掃描結(jié)果；

圖7為根據(jù)本發(fā)明的測試圖形的俯視圖的示意；?

圖8為圖7所示的測試圖形在A-A處的剖視圖的示意；以及

圖9為臺(tái)階儀對圖7所示的測試圖形的掃描結(jié)果。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖進(jìn)一步闡述本發(fā)明。需要說明的是，附圖僅用于示意，并不就此限定所示意的部件的大小、比例等，且在附圖中相同的標(biāo)號表示相同或相似的部件。