[發(fā)明專利]溝槽多晶硅過腐蝕臺階測試圖形及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110220937.6 | 申請日： | 2011-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN102915999A | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 卞錚 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜娟娟;高為 |
| 地址： | 214028 無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 溝槽 多晶 腐蝕 臺階 測試 圖形 及其 形成 方法 | ||
1.一種用于溝槽多晶硅過腐蝕臺階測試的測試圖形，所述測試圖形是被形成在襯底上的溝槽，所述溝槽包括底面和自底面延伸出的兩個側(cè)面，其特征在于，所述溝槽是以使其縱長方向與晶片劃片槽的縱長方向形成非90o的預(yù)定角度的方式形成在所述襯底上的。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試圖形，其特征在于，所述預(yù)定角度等于或大于10o。
3.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測試圖形，其特征在于，所述預(yù)定角度等于或大于30o。
4.?根據(jù)權(quán)利要求3所述的測試圖形，其特征在于，所述溝槽的寬度在0.18微米到0.36微米之間。
5.?根據(jù)權(quán)利要求4所述的測試圖形，其特征在于，所述溝槽的寬度在0.2微米到0.35微米之間。
6.?根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的測試圖形，其特征在于，所述溝槽的深度在0.98微米到2.02微米之間。
7.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的測試圖形，其特征在于，所述溝槽的深度在1微米到2微米之間。
8.一種形成用于溝槽多晶硅過腐蝕臺階測試的測試圖形的方法，包括在襯底上形成溝槽，所述溝槽包括底面和自所述底面延伸出的兩個側(cè)面，其特征在于，以使所述溝槽的縱長方向與晶片劃片槽的縱長方向形成非90o的預(yù)定角度的方式在所述襯底上形成所述溝槽。
9.?根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定角度等于或大于10o。
10.?根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定角度等于或大于30o。
11.?根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述溝槽的深度在0.18微米到0.36微米之間。
12.?根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述溝槽的寬度在0.2微米到0.35微米之間。
13.?根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其特征在于，所述溝槽的深度在0.98微米到2.02微米之間。
14.?根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述溝槽的深度在1微米到2微米之間。
15.?根據(jù)以上權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硅襯底上形成多個所述溝槽。
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