[發明專利]適于承載發光裝置的晶片級基板架構無效
| 申請號: | 201110220407.1 | 申請日: | 2011-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN102916104A | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發明(設計)人: | 何昕樺;唐迺元;薛全欽 | 申請(專利權)人: | 奇景光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 適于 承載 發光 裝置 晶片 級基板 架構 | ||
技術領域
本發明涉及一種基板架構,且特別是涉及一種適于承載如發光二極管(light?emitting?diode,LED)的發光裝置的晶片級(wafer?level)基板架構。
背景技術
相比較于白熱光等其它光源,發光二極管(light?emitting?diode,LED)不但耗能較少,且也具有較長的壽命、較快的反應速度、較小的尺寸、較低維護成本以及良好的可靠度等優點。因此,LED從60年代開始就被廣泛地使用。進一步而言,隨著沉積技術的逐漸發展,相較于傳統裝置,能提供高亮度的LED便帶來了新的應用,例如顯示背光、汽車照明以及隨身相機或是小型投射裝置等新消費產品。
另一方面,隨著LED制作工藝的發展,做為LED使用的硅基板的晶片級制造及封裝技術也因此廣泛發展。其中硅基板的晶片級制造及封裝技術是利用以硅為基底的多芯片LED封裝技術(multi-chip?LED?packaging)來實現,其可大大改善LED封裝后的發光效率等光學性質,以及降低制造成本。
一般而言,在晶片級LED的硅基板制作工藝中,硅基板主要是用來承載LED,其通過在硅基板上形成開口以嵌入LED。另外,基板的開口通常是利用蝕刻的方式制作,而常見的蝕刻例如為濕蝕刻制作工藝。然而,硅基板的蝕刻制作工藝經常會帶來一些像是形成開口表面時所造成的缺陷、蝕刻結果的不一致及合格率低落的缺點。其中蝕刻結果的不一致及蝕刻缺陷可能會降低光反射的效果。除此之外,開口的形狀與架構也會因為硅晶格的結構受到限制。由于硅基板的蝕刻制作工藝受到硅晶格的結構的影響非常大,故上述的缺點經常是無法避免的。
發明內容
據此,本發明的目的在于提供一種適于承載發光裝置晶片級基板架構,其能夠提供均勻的輸出光、具有較好的光線擷取性質、能改善制作工藝良率以及提升產品的一致性。
本發明的另一目的在于提出一種制造前述的適于承載發光裝置的晶片級基板的方法。
為達上述目的,本發明提供一種晶片級基板架構,其適于多個承載發光裝置。晶片級基板架構包括一第一基板及一第二基板。金屬線根據一預定圖樣建構于第一基板的一表面,且預定圖樣分成多個第一部分及多個第二部分。第二基板附著于第一基板的表面,且具有多個貫孔,其中貫孔分別對應第一部分,且每一第一部分適于電連接至少一發光裝置。
在本發明的一實施例中,上述的第一基板為硅基板或陶瓷基板,且第二基板為一玻璃基板、一硅基板或一藍寶石基板。
在本發明的一實施例中,上述的第二基板的貫孔是以一電腦數值控制(computer?numerical?control,CNC)制作工藝、激光鉆孔制作工藝、干蝕刻制作工藝或濕蝕刻制作工藝來形成。
在本發明的一實施例中,每一貫孔具有一內壁,且內壁的法向量與第一基板表面的法向量間的一角度為從30度到60度。
在本發明的一實施例中,上述的貫孔為一錐形孔、一矩形孔、一方形孔或一梯形孔。
在本發明的一實施例中,晶片級基板架構還包括一反射層。反射層形成于每一貫孔的內壁。
在本發明的一實施例中,上述的反射層的反射率大于80%。
在本發明的一實施例中,上述的反射層為一金屬層。
在本發明的一實施例中,上述的反射層是以鍍膜、電鍍、蒸鍍或濺鍍制作工藝形成。
在本發明的一實施例中,上述的第一基板及第二基板是以一晶片對晶片接合方法或是一晶片對晶片堆疊方法來連接。
在本發明的一實施例中,晶片級基板架構及發光裝置是通過球格陣列封裝(ball?grid?array,BGA)技術、表面固定技術(surface?mount?technique,SMT)或一般電線來連接。
除此之外,本發明更提供一種制造適于承載發光裝置的晶片級基板的方法,其包括下列步驟。首先,提供一第一基板,并于第一基板上建構一金屬線。其中金屬線根據一預定圖樣建構在第一基板表面,且預定圖樣分為多個第一部分及多個第二部分。然后,提供一第二基板,并于第二基板上形成多個貫孔。接下來,將第二基板附著于第一基板的表面。貫孔分別對應于第一部分,且每一第一部分適于電連接至少一發光裝置。
基于上述,在本發明的實施例中,由于使用了第二基板,故能避免現有技術的利用蝕刻硅制作工藝完成硅基板的缺點。通過第二基板的使用,本實施例的適于承載發光裝置的晶片級基板架構能夠提供均勻的輸出光以及具有良好的光線擷取性質。另外,上述作法還能改善制作工藝合格率,并提高產品的一致性。此外,因為本發明使用簡易制作工藝第二基板的關系,貫孔的外形和架構不再受限。
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