[發(fā)明專利]適于承載發(fā)光裝置的晶片級(jí)基板架構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110220407.1
• 申請(qǐng)日: 2011-08-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102916104A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何昕樺;唐迺元;薛全欽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 奇景光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種晶片級(jí)基板架構(gòu)，適于承載發(fā)光裝置，該晶片級(jí)基板架構(gòu)包括：

第一基板，其中一金屬線根據(jù)一預(yù)定圖樣建構(gòu)于該第一基板的一表面，且該預(yù)定圖樣分成多個(gè)第一部分及多個(gè)第二部分；以及

第二基板，附著于該第一基板的該表面，且具有多個(gè)貫孔，其中該些貫孔分別對(duì)應(yīng)該些第一部分，且每一第一部分適于電連接至少一發(fā)光裝置。

2.如權(quán)利要求1所述的晶片級(jí)基板架構(gòu)，其中該第一基板為硅基板或陶瓷基板，且該第二基板為玻璃基板、硅基板或藍(lán)寶石基板。

3.如權(quán)利要求1所述的晶片級(jí)基板架構(gòu)，其中該第二基板的該貫孔以一電腦數(shù)值控制制作工藝、激光鉆孔制作工藝、干蝕刻制作工藝或濕蝕刻制作工藝來(lái)形成。

4.如權(quán)利要求1所述的晶片級(jí)基板架構(gòu)，其中每一貫孔具有內(nèi)壁，且該內(nèi)壁的法向量與該第一基板表面的法向量間的一角度為從30度到60度。

5.如權(quán)利要求4所述的晶片級(jí)基板架構(gòu)，其中該貫孔為錐形孔、矩形孔、方形孔或梯形孔。

6.如權(quán)利要求1所述的晶片級(jí)基板架構(gòu)，還包括反射層，該反射層形成于每一貫孔的該內(nèi)壁。

7.如權(quán)利要求6所述的晶片級(jí)基板架構(gòu)，其中該反射層的反射率大于80％。

8.如權(quán)利要求7所述的晶片級(jí)基板架構(gòu)，其中該反射層為金屬層。

9.如權(quán)利要求6所述的晶片級(jí)基板架構(gòu)，其中該反射層是以鍍膜、電鍍、蒸鍍或?yàn)R鍍制作工藝形成。

10.如權(quán)利要求1所述的晶片級(jí)基板架構(gòu)，其中該第一基板及該第二基板是以晶片對(duì)晶片接合方法或是晶片對(duì)晶片堆疊方法來(lái)連接。

11.如權(quán)利要求1所述的晶片級(jí)基板架構(gòu)，其中該晶片級(jí)基板架構(gòu)及該發(fā)光裝置是通過(guò)球格陣列封裝技術(shù)、表面固定技術(shù)或一般電線來(lái)連接。