[發明專利]陶瓷芯片組件

有效

• 申請號: 201110220302.6
• 申請日: 2011-08-01
• 公開（公告）號: CN102347296A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 金善基;李承珍;樸起漢
• 申請（專利權）人: 卓英社有限公司;金善基
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/28
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;金光軍

1.一種陶瓷芯片組件，其特征在于包括：

陶瓷基底，具有電氣特性；

外部電極，分別形成于所述陶瓷基底的成對而對向的面；

單芯的金屬引線，一端通過導電性粘接單元分別電氣性及結構性地連接于所述外部電極中的每一個；

絕緣包封材料，密封所述陶瓷基底、外部電極以及所述金屬引線的一端，以使所述金屬引線的另一端暴露于外部；以及

絕緣聚合物涂覆層，經由所述絕緣包封材料和從所述絕緣包封材料暴露的所述金屬引線的局部而連續形成，

所述絕緣聚合物涂覆層通過在與此對應的液態的絕緣聚合物樹脂內浸泡所述絕緣包封材料和所述金屬引線的局部并取出后，經過固化工藝固化所涂覆的所述液態的絕緣聚合物樹脂而形成，

形成于鄰近所述金屬引線另一端部分的部位的所述絕緣聚合物涂覆層的厚度不同于形成于鄰近所述絕緣包封材料的部位的所述絕緣聚合物涂覆層的厚度。

2.根據權利要求1所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，所述絕緣聚合物涂覆層的厚度從所述金屬引線的另一端部分越靠近所述絕緣包封材料部分則越厚。

3.根據權利要求1所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，所述陶瓷基底具有熱敏電阻、電容、電感或者壓電體中的其中一個的電氣性能。

4.根據權利要求1所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，所述絕緣聚合物涂覆層的硬度小于所述絕緣包封材料的硬度，所述絕緣聚合物涂覆層的柔軟性優于所述絕緣包封材料的柔軟性。

5.根據權利要求4所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，所述絕緣聚合物涂覆層具有當使所述金屬引線彎曲至90度時不會發生使外部的水滲透到內部的裂紋的程度的柔軟性及硬度。

6.根據權利要求1所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，所述金屬引線上套有絕緣管，以在所述金屬引線中覆蓋形成有所述絕緣聚合物涂覆層的部分和沒有形成所述聚合物涂覆層的部分的邊界。

7.根據權利要求1所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，

所述浸泡是從所述絕緣包封材料順序地進行。

8.根據權利要求1所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，

所述金屬引線形成為一體，截面是圓形、四方形或者圓形與四方形的組合。

9.根據權利要求1所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，所述金屬引線的最外層由錫或銀中的其中一個鍍覆，且當所述金屬引線的截面為圓形時，外徑為0.1mm至0.6mm以內。

10.根據權利要求1所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，形成所述絕緣聚合物涂覆層的總長度是10mm以上。

11.根據權利要求1所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，所述絕緣聚合物涂覆層是環氧樹脂、聚酰亞胺、聚酰胺、聚酯、氨基甲酸酯或硅膠中的其中一個。

12.根據權利要求1所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，所述絕緣聚合物涂覆層的顏色與所述金屬引線的顏色不同。

13.根據權利要求1所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，所述絕緣聚合物涂覆層粘貼到所述絕緣包封材料和所述金屬引線。

14.根據權利要求1所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，所述絕緣聚合物涂覆層的厚度范圍為所述金屬引線至少承受100V的耐電壓的最小厚度至0.3mm。

15.根據權利要求1所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，所述陶瓷芯片組件通過載帶連續地卷帶而供給。

16.根據權利要求1所述的陶瓷芯片組件，其特征在于，所述陶瓷芯片組件的局部或者整體收容于金屬罐內部，并由第二絕緣包封材料密封。

17.一種陶瓷芯片組件的制造方法，其適用于，

在具有電氣特性的陶瓷基底的成對且對向的面上分別形成的外部電極分別電氣性及結構性地連接有單芯的金屬引線的一端，并由絕緣包封材料密封所述陶瓷基底、外部電極以及所述金屬引線的一端，以使所述金屬引線的另一端暴露于外部的陶瓷芯片組件，其特征在于，

在液態的絕緣聚合物樹脂內浸泡所述絕緣包封材料和所述金屬引線的局部并取出后，通過固化工藝固化所涂覆的所述液態的絕緣聚合物樹脂，以形成絕緣聚合物涂覆層，

并且，使形成于鄰近所述金屬引線另一端部分的部位的所述絕緣聚合物涂覆層的厚度不同于形成于鄰近所述絕緣包封材料的部位的所述絕緣聚合物涂覆層的厚度。