[發(fā)明專利]高速沉積制造薄膜太陽(yáng)電池的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110220265.9
• 申請(qǐng)日: 2011-08-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102280527A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李兆廷;李鵬;王恩忠;林宏達(dá);甄雁卉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 牡丹江旭陽(yáng)太陽(yáng)能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 牡丹江市丹江專利事務(wù)所 23205
• 代理人: 董連書(shū)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及薄膜太陽(yáng)電池的制造方法，具體涉及一種高速沉積薄膜而且節(jié)約能耗的制造薄膜太陽(yáng)電池的方法。

背景技術(shù)

用現(xiàn)有制造薄膜太陽(yáng)電池的方法沉積薄膜時(shí)采用的輔助氣體不利于氣體起輝，第一起輝電壓、功率較高，第二起輝后正常沉積時(shí)設(shè)備功率消耗較大，氣體沉積速率較低；正常沉積薄膜時(shí)所需要的高頻電源功率較大，不利于快速、高效、低成本制造薄膜太陽(yáng)電池。

發(fā)明內(nèi)容

?本發(fā)明的目的是提供一種快速、高效、低成本的高速沉積制造薄膜太陽(yáng)電池的方法。

本發(fā)明的技術(shù)解決方案是：

高速沉積制造薄膜太陽(yáng)電池的方法，在沉積薄膜電池層時(shí)加入輔助氣體Ar，達(dá)到快速、高效、低成本制造薄膜太陽(yáng)電池的目的，其具體包括以下步驟：

1）用LPCVD或磁控濺射在玻璃基板上制備TCO；

膜層厚度：500~700nm

方塊電阻：小于15Ω/□

光透率：波長(zhǎng)400～800?nm的光透過(guò)率要大于90%；

2）對(duì)玻璃基板上的TCO膜層激光刻劃；

3）在TCO膜層上制備PIN電池層，雙結(jié)的連續(xù)制備PIN/PIN膜層，制備工藝如下：

???制備p層工藝參數(shù)為：

使用B(CH₄)₃、SiH₄、CH₄、Ar、H₂氣體，沉積溫度180℃~210℃，功率密度0.18~0.3W/cm²，氫稀釋比R：?H₂/?SiH₄為23~35，硅烷與甲烷流量比為10:(1~1.35)，硅烷與氬氣的流量比10:(0.2~0.5)，沉積壓力為100~140p_a；

制備I層工藝參數(shù)為：

使用SiH₄、Ar、H₂氣體，氫稀釋比R：?H₂/?SiH₄為19～21，硅烷與氬氣的流量比10:(0.15~0.4)，沉積溫度180℃~220℃，功率密度0.2~0.45W/cm²，沉積壓力為110~155p_a

制備N層工藝參數(shù)為：

使用PH₃、SiH₄、Ar、H₂氣體，其中H₂/SiH₄比之R為21～32，硅烷與氬氣的流量比10:(0.2~0.5)，沉積溫度180℃~210℃，功率密度0.25~0.45W/cm²，沉積壓力為110~150p_a?；

4）激光刻劃PIN電池膜層；

5）用磁控濺射制備電池背電極，包括AZO膜層、Al膜層和NiV膜層；

AZO膜層厚度：80~100nm；方塊電阻：小于280?Ω/□；

Al膜層厚度：250~300nm；

NiV膜層厚度：80~110nm；

6）激光刻劃背電極，激光清邊機(jī)清邊，超聲波清洗；

7）粘接：選擇高強(qiáng)度熱熔粘接材料將制備完的太陽(yáng)電池和4mm厚全鋼化背板玻璃疊壓粘接在一起；

8）預(yù)壓；利用輥壓機(jī)將疊壓粘接在一起的太陽(yáng)電池和背板玻璃進(jìn)行預(yù)壓；

9）?封裝：將預(yù)壓后的電池板通過(guò)高壓釜層壓封裝，經(jīng)過(guò)清理、檢驗(yàn)、檢測(cè)、包裝等工序就制造出合格的高效薄膜太陽(yáng)電池。

本發(fā)明的技術(shù)效果是：使用本方法可以快速、高效、低成本制造的薄膜太陽(yáng)電池，在沉積薄膜電池層時(shí)加入輔助氣體Ar，有利于氣體起輝，達(dá)到降低第一起輝電壓、功率，降低第二起輝后正常沉積功率的目的。Ar離子還可以起輔助作用達(dá)到提升沉積速率的目的，可由一般的沉積速率2?/s提升到2.5??/s～3?/s，大大提升了薄膜太陽(yáng)電池生產(chǎn)產(chǎn)能。由于Ar的輔助，在正常沉積薄膜時(shí)可以大大降低高頻電源的功率，功率密度由一般的0.3W/cm²降低為0.15?W/cm²～0.25W/cm²。從而達(dá)到了提升產(chǎn)能、降低生產(chǎn)成本的目的。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例一，

高速沉積制造薄膜太陽(yáng)電池的方法，在沉積薄膜電池層時(shí)加入輔助氣體Ar，達(dá)到快速、高效、低成本制造薄膜太陽(yáng)電池的目的，其具體包括以下步驟：

1）??????????用LPCVD或磁控濺射在玻璃基板上制備TCO；