[發(fā)明專利]高速沉積制造薄膜太陽電池的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110220265.9
• 申請日: 2011-08-03
• 公開（公告）號: CN102280527A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發(fā)明（設計）人: 李兆廷;李鵬;王恩忠;林宏達;甄雁卉
• 申請（專利權）人: 牡丹江旭陽太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 牡丹江市丹江專利事務所 23205
• 代理人: 董連書

1.高速沉積制造薄膜太陽電池的方法，其特征在于：在沉積薄膜電池層時加入輔助氣體Ar，達到快速、高效、低成本制造薄膜太陽電池的目的，其具體包括以下步驟：

1）用LPCVD或磁控濺射在玻璃基板上制備TCO；

膜層厚度：500~700nm

方塊電阻：小于15Ω/□

光透率：波長400～800?nm的光透過率要大于90%；

2）對玻璃基板上的TCO膜層激光刻劃；

3）在TCO膜層上制備PIN電池層，雙結的連續(xù)制備PIN/PIN膜層，制備工藝如下：

??制備p層工藝參數(shù)為：

使用B(CH₄)₃、SiH₄、CH₄、Ar、H₂氣體，沉積溫度180℃~210℃，功率密度0.18~0.3W/cm²，氫稀釋比R：?H₂/?SiH₄為23~35，硅烷與甲烷流量比為10:(1~1.35)，硅烷與氬氣的流量比10:(0.2~0.5)，沉積壓力為100~140p_a；

制備I層工藝參數(shù)為：

使用SiH₄、Ar、H₂氣體，氫稀釋比R：?H₂/?SiH₄為19～21，硅烷與氬氣的流量比10:(0.15~0.4)，沉積溫度180℃~220℃，功率密度0.2~0.45W/cm²，沉積壓力為110~155p_a

制備N層工藝參數(shù)為：

使用PH₃、SiH₄、Ar、H₂氣體，其中H₂/SiH₄比之R為21～32，硅烷與氬氣的流量比10:(0.2~0.5)，沉積溫度180℃~210℃，功率密度0.25~0.45W/cm²，沉積壓力為110~150p_a?；

4）激光刻劃PIN電池膜層；

5）用磁控濺射制備電池背電極，包括AZO膜層、Al膜層和NiV膜層；

AZO膜層厚度：80~100nm；方塊電阻：小于280?Ω/□；

Al膜層厚度：250~300nm；

NiV膜層厚度：80~110nm；

6）激光刻劃背電極，激光清邊機清邊，超聲波清洗；

7）粘接：選擇高強度熱熔粘接材料將制備完的太陽電池和4mm厚全鋼化背板玻璃疊壓粘接在一起；

8）預壓；利用輥壓機將疊壓粘接在一起的太陽電池和背板玻璃進行預壓；

9）?封裝：將預壓后的電池板通過高壓釜層壓封裝，經(jīng)過清理、檢驗、檢測、包裝等工序就制造出合格的高效薄膜太陽電池。