[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201110219581.4 | 申請日: | 2011-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN102412134A | 公開(公告)日: | 2012-04-11 |
| 發明(設計)人: | 富藤幸雄 | 申請(專利權)人: | 大日本網屏制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/302 | 分類號: | H01L21/302 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅會;郭曉東 |
| 地址: | 日本國京*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種基板處理裝置,其對液晶顯示裝置(LCD)用、等離子顯示器(PDP)用、有機發光二極管(OLED)用、場致發射顯示器(FED)用、真空熒光顯示器(VFD)用、太陽能電池板用等的玻璃基板、磁盤/光盤用的玻璃基板/陶瓷基板、半導體晶片、電子設備基板等各種基板,噴出純水等清洗液、蝕刻液、顯影液、抗蝕劑剝離液等藥液等各種處理液,來對基板進行濕處理。
背景技術
以往,公知有如下的基板處理裝置,即,一邊通過在基板的搬運方向上排列的搬運輥等,在濕處理室內,以水平姿勢或相對于水平面向與基板搬運方向垂直的方向傾斜的姿勢搬運基板,一邊從噴嘴向基板的表面噴出噴淋狀的處理液,來進行規定的基板處理。在這樣的基板處理裝置中,按照處理的種類,從噴嘴向基板的表面噴出純水等清洗液、蝕刻液、顯影液、抗蝕劑剝離液等藥液等各種處理液。
而且,在這樣的基板處理裝置中,噴嘴具有在基板搬運方向上延伸的噴管部和在噴管部的長度方向上相互接近地形成為一列的多個嘴部,為了向基板的整個表面上均勻地供給處理液,將該多個噴嘴在與基板搬運方向交叉的方向上等間距且相互平行地配置,使得從多個嘴部向基板的表面噴出處理液。圖5是表示從以往的基板處理裝置中的嘴部100向基板W的表面102噴出處理液的狀態的示意圖。
如圖5所示,在通過這樣的以往的基板處理裝置噴出處理液時,在與附圖平面垂直的方向上搬運的基板W的表面102的中央部附近,處理液的流動比基板W的兩側端部附近慢,從而在中央部附近處理液產生滯留,由此所噴出的新舊處理液的更換作用差,結果使處理不均勻。
為了解決該問題,使用如下裝置,即,在該裝置中使噴嘴的噴管部以其長度方向的中心軸為中心往復轉動,來改變處理液的噴出方向,由此促進基板表面上的新舊處理液進行置換(例如,參照專利文獻1)。
專利文獻1:JP特開平10-79368號公報。
圖6A、圖6B是表示從以往的噴管部往復轉動型的基板處理裝置中的嘴部100向基板W的表面102噴出處理液的狀態的示意圖。
在該基板處理裝置中,噴嘴具有在基板搬運方向(與附圖平面垂直的方向)上延伸的噴管部(未圖示)和在噴管部的長度方向上相互接近地形成為一列的多個嘴部100,將該多個噴嘴在與基板搬運方向交叉的方向上等間距且相互平行地配設,通過轉動機構(未圖示),一邊使噴嘴以各噴管部的中心軸為中心沿著圖6A中的箭頭A方向以及圖6B中的箭頭B方向往復轉動,一邊改變從嘴部100向基板的表面102噴出處理液的噴出方向。但是,在反復進行這樣的往復轉動的過程中,在噴出到基板W的表面102上后暫且向基板W的一端方向流動的處理液會向反方向(另一端方向)流動,在基板中央部附近和兩側端部附近,處理液的滯留量不同,因此處理的進行狀況不均。
發明內容
本發明是鑒于以上情況而提出的,其目的在于提供防止噴射至基板表面上的處理液滯留且能夠有效地使基板的整個面上的處理均勻的基板處理裝置。
技術方案1的發明為一種基板處理裝置,具有:濕處理室,對基板進行濕處理,基板搬運裝置,配設在所述濕處理室內,以水平姿勢或在與基板搬運方向垂直的方向上相對于水平面傾斜的姿勢,沿著水平方向搬運基板,處理液供給裝置,向配設在所述濕處理室內的基板搬運裝置所搬運的基板的主面供給處理液;其特征在于,所述處理液供給裝置具有多個噴嘴,所述多個噴嘴在與基板搬運方向交叉的方向或基板搬運方向上等間距且相互平行地配置,用于將處理液噴出至基板的主面;所述多個噴嘴各自具有:噴管部,在所述基板搬運方向或與所述基板搬運方向交叉的方向上延伸,多個嘴部,在所述噴管部的長度方向上相互接近地形成為一列,從該嘴部的噴出口向基板的主面噴出處理液;通過在多個所述噴管部上以特定方式形成所述多個嘴部,使噴出后的處理液在基板的主面上積極地流動,該特定方式為:使與基板的主面相向的所述多個嘴部的噴出口的傾斜程度,從呈水平姿勢被搬運的基板的主面的與所述基板搬運方向交叉的方向上的中央部附近朝向兩端部附近或從基板的主面的所述基板搬運方向上的中央部附近朝向兩端部附近,相對于鉛垂線逐漸變大,或者,使與基板的主面相向的所述多個嘴部的噴出口的傾斜程度,從呈傾斜的姿勢被搬運的基板的主面的傾斜上端部附近朝向傾斜下端部附近,相對于基板的主面的法線逐漸變大。
技術方案2的發明的特征在于,在技術方案1所述的基板處理裝置中,在與基板搬運方向交叉的方向上等間距地配置的所述多個噴嘴的所述多個嘴部,在與基板搬運方向交叉的方向上配置為交錯狀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





