[發(fā)明專利]基板處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110219581.4 | 申請日: | 2011-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN102412134A | 公開(公告)日: | 2012-04-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 富藤幸雄 | 申請(專利權)人: | 大日本網(wǎng)屏制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/302 | 分類號: | H01L21/302 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產(chǎn)權代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅會;郭曉東 |
| 地址: | 日本國京*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,具有:
濕處理室,對基板進行濕處理,
基板搬運裝置,配設在所述濕處理室內,以水平姿勢或在與基板搬運方向垂直的方向上相對于水平面傾斜的姿勢,沿著水平方向搬運基板,
處理液供給裝置,向配設在所述濕處理室內的基板搬運裝置所搬運的基板的主面供給處理液;
其特征在于,
所述處理液供給裝置具有多個噴嘴,所述多個噴嘴在與基板搬運方向交叉的方向或基板搬運方向上等間距且相互平行地配置,用于將處理液噴出至基板的主面;
所述多個噴嘴各自具有:
噴管部,在所述基板搬運方向或與所述基板搬運方向交叉的方向上延伸,
多個嘴部,在所述噴管部的長度方向上相互接近地形成為一列,從該嘴部的噴出口向基板的主面噴出處理液;
通過在多個所述噴管部上以特定方式形成所述多個嘴部,使噴出后的處理液在基板的主面上積極地流動,該特定方式為:使與基板的主面相向的所述多個嘴部的噴出口的傾斜程度,從呈水平姿勢被搬運的基板的主面的與所述基板搬運方向交叉的方向上的中央部附近朝向兩端部附近或從基板的主面的所述基板搬運方向上的中央部附近朝向兩端部附近,相對于鉛垂線逐漸變大,或者,使與基板的主面相向的所述多個嘴部的噴出口的傾斜程度,從呈傾斜的姿勢被搬運的基板的主面的傾斜上端部附近朝向傾斜下端部附近,相對于基板的主面的法線逐漸變大。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,在與基板搬運方向交叉的方向上等間距地配置的所述多個噴嘴的所述多個嘴部,在與該基板搬運方向交叉的方向上配置為交錯狀。
3.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,在基板搬運方向上等間距地配置的所述多個噴嘴的所述多個嘴部,在該基板搬運方向上配置為交錯狀。
4.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,從所述多個嘴部的噴出口噴出的處理液的噴出量相等。
5.如權利要求1~4中的任一項所述的基板處理裝置,從所述多個嘴部的噴出口噴出的處理液為蝕刻液。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





