[發(fā)明專(zhuān)利]檢測(cè)裝置和放射線檢測(cè)系統(tǒng)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110218964.X | 申請(qǐng)日: | 2011-08-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102376725A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 石井孝昌;望月千織;渡邊實(shí);川鍋潤(rùn);藤吉健太郎;和山弘 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 佳能株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/146 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/146;A61B6/00 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 楊小明 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測(cè) 裝置 放射線 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種可應(yīng)用于使用放射線的醫(yī)療診斷成像裝置、無(wú)損測(cè)試裝置、分析裝置等的檢測(cè)裝置,還涉及一種放射線檢測(cè)裝置和配備有放射線檢測(cè)裝置的放射線檢測(cè)系統(tǒng)。
背景技術(shù)
最近幾年,半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展使得能夠大規(guī)模生產(chǎn)大尺寸的放射線傳感器。現(xiàn)代放射線傳感器(放射線檢測(cè)裝置)的半導(dǎo)體構(gòu)件包括轉(zhuǎn)換元件和開(kāi)關(guān)元件,所述轉(zhuǎn)換元件例如光電轉(zhuǎn)換元件,所述開(kāi)關(guān)元件例如薄膜晶體管(TFT)。為了形成例如醫(yī)療X射線檢測(cè)裝置的放射線檢測(cè)裝置,可將這些半導(dǎo)體構(gòu)件與執(zhí)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換(即,將例如X射線的放射線轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光等)的熒光部件(閃爍器)組合,并布置在一維或二維像素陣列中。
通常,放射線檢測(cè)裝置中所使用的像素結(jié)構(gòu)可分為兩類(lèi),即,單面型和層疊型,在單面型中,轉(zhuǎn)換元件和開(kāi)關(guān)元件設(shè)置在相同的平面中,在層疊型中,轉(zhuǎn)換元件設(shè)置在開(kāi)關(guān)元件之上。在單面型生產(chǎn)中,可使用相同的半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程來(lái)生產(chǎn)轉(zhuǎn)換元件和開(kāi)關(guān)元件,這使得可簡(jiǎn)化生產(chǎn)過(guò)程。在層疊型檢測(cè)裝置的情況下,與單面型相比,將轉(zhuǎn)換元件設(shè)置在開(kāi)關(guān)元件之上使得可增大每個(gè)像素中的轉(zhuǎn)換元件的尺寸。因此,層疊型檢測(cè)裝置能夠提供比單面型檢測(cè)裝置可提供的更大的信號(hào)、更大的信噪比和更高的靈敏度。
在放射線檢測(cè)裝置中,特別是在醫(yī)療X射線檢測(cè)裝置中,需要減小患者被曝露的放射線量。為了滿(mǎn)足這個(gè)要求,重要的是實(shí)現(xiàn)具有更高靈敏度和高信噪(S/N)比的傳感器。在傳感器中,噪聲由許多源產(chǎn)生。可以是噪聲源的器件/元件包括轉(zhuǎn)換元件、開(kāi)關(guān)元件、信號(hào)線、積分放大器和外圍電路。以下,由信號(hào)線產(chǎn)生的噪聲將被稱(chēng)為信號(hào)線噪聲。當(dāng)信號(hào)線具有寄生電容C時(shí),通過(guò)以下方程給出信號(hào)線噪聲。
信號(hào)線噪聲=√kTC
以下,由積分放大器產(chǎn)生的噪聲將被稱(chēng)為放大器噪聲。在具有反饋電容Cf的積分放大器用作電荷讀取放大器的情況下,通過(guò)以下方程給出放大器噪聲。
放大器噪聲=C/Cf×放大器輸入處的噪聲
因此,信號(hào)線的寄生電容C的減小對(duì)于減小檢測(cè)裝置的噪聲是有效的。也就是說(shuō),為了實(shí)現(xiàn)高靈敏度,通過(guò)減小信號(hào)線的寄生電容來(lái)減小噪聲是有效的。
在檢測(cè)裝置中,還需要提高驅(qū)動(dòng)速度。當(dāng)通過(guò)其供給驅(qū)動(dòng)脈沖以控制開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通/關(guān)斷的驅(qū)動(dòng)線具有電容Cg和電阻Rg時(shí),通過(guò)以下方程給出該驅(qū)動(dòng)線的時(shí)間常數(shù)τ。
τ=Cg×Rg
因此,如果驅(qū)動(dòng)線的電容和/或電阻增大,則驅(qū)動(dòng)線的時(shí)間常數(shù)τ增大,這可引起通過(guò)驅(qū)動(dòng)線發(fā)送的驅(qū)動(dòng)脈沖變鈍(dull)或失真。因此,如果開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通時(shí)間段縮短,則鈍化可使得開(kāi)關(guān)元件難以對(duì)于設(shè)計(jì)的必需時(shí)間段處于導(dǎo)通狀態(tài)。也就是說(shuō),鈍化使得難以縮短導(dǎo)通時(shí)間段,這使得難以提高驅(qū)動(dòng)速度。
日本專(zhuān)利公開(kāi)No.2002-76360公開(kāi)了一種實(shí)現(xiàn)具有電阻減小的信號(hào)/驅(qū)動(dòng)線(以下,簡(jiǎn)單地稱(chēng)為線)的單面型放射線檢測(cè)裝置的技術(shù)。美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公布No.2007/0045556提出了一種減小層疊型放射線檢測(cè)裝置中的線的電阻的技術(shù)。
因此,在常見(jiàn)的放射線檢測(cè)裝置中,無(wú)論這些放射線檢測(cè)裝置中的像素結(jié)構(gòu)是單面型還是層疊型,都需要減小像素節(jié)距(pitch)、增大像素?cái)?shù)量、提高靈敏度和提高驅(qū)動(dòng)速度。具體地講,由于醫(yī)療X射線檢測(cè)裝置包括各種類(lèi)型的檢測(cè)裝置,例如X射線乳房攝影裝置、能夠拍攝運(yùn)動(dòng)圖像的X射線透射檢測(cè)裝置等,所以非常期望針對(duì)這些各種類(lèi)型的醫(yī)療X射線裝置中的每種減小像素節(jié)距和增大像素?cái)?shù)量。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于本領(lǐng)域的目前狀態(tài),本發(fā)明的一個(gè)目的是提供這樣一種技術(shù),該技術(shù)用于通過(guò)減小信號(hào)線電容來(lái)減小噪聲,并通過(guò)減小與檢測(cè)裝置中的驅(qū)動(dòng)線相關(guān)聯(lián)的時(shí)間常數(shù)來(lái)提高驅(qū)動(dòng)速度,尤其是在具有以較小間隔布置的較多數(shù)量像素的層疊型檢測(cè)裝置中。
在一個(gè)方面,本發(fā)明公開(kāi)了一種檢測(cè)裝置,包括:多個(gè)像素,所述多個(gè)像素在絕緣襯底上按行方向和列方向布置,其中每個(gè)像素包括轉(zhuǎn)換元件和開(kāi)關(guān)元件,所述轉(zhuǎn)換元件被配置為將放射線或光轉(zhuǎn)換為電荷,所述開(kāi)關(guān)元件設(shè)置在所述絕緣襯底上,并被配置為輸出與所述電荷對(duì)應(yīng)的電信號(hào),并且其中所述轉(zhuǎn)換元件設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)元件之上。設(shè)置在所述轉(zhuǎn)換元件之下的驅(qū)動(dòng)線連接至按行方向布置的開(kāi)關(guān)元件中的每一個(gè);和信號(hào)線,所述信號(hào)線連接至按列方向布置的開(kāi)關(guān)元件中的每一個(gè)。所述信號(hào)線包括嵌入在絕緣部件中的導(dǎo)電層,所述絕緣部件形成在位置比所述驅(qū)動(dòng)線的最上表面部分低的層中。
從以下參照附圖對(duì)示例性實(shí)施例的描述,本發(fā)明的進(jìn)一步特征將變得清楚。
附圖說(shuō)明
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
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