[發明專利]檢測裝置和放射線檢測系統

無效

• 申請號: 201110218964.X
• 申請日: 2011-08-02
• 公開（公告）號: CN102376725A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 石井孝昌;望月千織;渡邊實;川鍋潤;藤吉健太郎;和山弘
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;A61B6/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 楊小明

1.一種檢測裝置，包括：

多個像素，所述多個像素在絕緣襯底上按行方向和列方向布置，每個像素包括轉換元件和開關元件，所述轉換元件被配置為將放射線或光轉換為電荷，所述開關元件設置在所述絕緣襯底上，并被配置為輸出與所述電荷對應的電信號，所述轉換元件設置在所述開關元件之上；

驅動線，所述驅動線設置在所述轉換元件之下，并連接至按行方向布置的開關元件中的每一個；和

信號線，所述信號線連接至按列方向布置的開關元件中的每一個，

其中，所述信號線包括嵌入在絕緣部件中的導電層，所述絕緣部件設置在比所述驅動線的最上表面部分低的層中。

2.根據權利要求1所述的檢測裝置，還包括設置在所述轉換元件與所述開關元件之間的多個絕緣層，其中

所述絕緣部件包括作為所述多個絕緣層之一并且位置比用作驅動線的導電層的最上表面部分低的絕緣層，所述用作驅動線的導電層位于所述轉換元件之下。

3.根據權利要求2所述的檢測裝置，其中

所述開關元件包括設置在所述絕緣襯底上的第一導電層、設置在第一導電層上的第一絕緣層、設置在第一絕緣層上的第一半導體層、設置在第一半導體層上的第一雜質半導體層和設置在第一雜質半導體層上的第二導電層，

所述信號線包括第三導電層，第三導電層嵌入在第二絕緣層和第三絕緣層中，并連接至所述開關元件，其中，第二絕緣層設置在所述開關元件上，第三絕緣層設置在第二絕緣層上，

所述驅動線包括嵌入在第五絕緣層中的第五導電層，第五絕緣層形成在第四絕緣層上，第五導電層通過第三導電層和第四導電層連接至所述開關元件，第四導電層嵌入在第四絕緣層中，第四絕緣層設置在第三絕緣層上，以及

所述轉換元件包括第七導電層，第七導電層用作通過第五絕緣層上的第六絕緣層設置的下電極，并且通過第三導電層、第四導電層和第五導電層連接至所述開關元件。

4.根據權利要求2所述的檢測裝置，其中

每個像素還包括用以對轉換元件進行初始化的初始化開關元件，

并且其中所述檢測裝置還包括：

初始化驅動線，所述初始化驅動線連接至按行方向布置的多個初始化開關元件，和

初始化偏壓線，所述初始化偏壓線連接至按列方向布置的多個初始化開關元件。

5.根據權利要求4所述的檢測裝置，其中

所述開關元件包括設置在所述絕緣襯底上的第一絕緣層、設置在第一絕緣層上的第一半導體層、設置在第一絕緣層上的第二絕緣層、設置在第二絕緣層上的第一導電層、設置在第一導電層上的第三絕緣層和設置在第三絕緣層上的第二導電層，

所述信號線包括第三導電層，第三導電層嵌入在第四絕緣層上的第五絕緣層中，第四絕緣層設置在所述開關元件上，和

所述驅動線包括第五導電層，第五導電層嵌入在設置于第六絕緣層上的第七絕緣層中，并通過第三導電層和第四導電層連接至所述開關元件，第四導電層嵌入在設置于第五絕緣層上的第六絕緣層中。

6.根據權利要求5所述的檢測裝置，其中

第五導電層還被嵌入在第八絕緣層中，第八絕緣層設置在第七絕緣層上，以及

所述轉換元件包括第六導電層，第六導電層用作通過第八絕緣層上的第九絕緣層設置的下電極，并且通過第三導電層、第四導電層和第五導電層連接至所述開關元件。

7.根據權利要求5所述的檢測裝置，其中

所述初始化偏壓線包括第三導電層，以及

所述初始化驅動線包括第五導電層，第五導電層通過第三導電層和第四導電層連接至所述開關元件。