[發明專利]雙溝槽隔離結構的形成方法有效
| 申請號： | 201110218591.6 | 申請日： | 2011-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN102254854A | 公開（公告）日： | 2011-11-23 |
| 發明（設計）人： | 高超 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 隔離 結構 形成 方法 | ||
1.一種雙溝槽隔離結構的形成方法，包括如下步驟：
提供包括襯底硅，掩埋絕緣層和頂層硅的絕緣體上硅，在所述的頂層硅上依次形成襯墊層，硬掩膜層和第一掩膜層；
以圖案化第一掩膜層為掩膜，刻蝕硬掩膜層，襯墊層和部分頂層硅至設定深度，形成第一開口；
去除第一掩膜層，在所述硬掩膜層上以及第一開口內形成犧牲層；
去除部分犧牲層至暴露出硬掩膜層；
在所述硬掩膜層以及犧牲層上形成圖案化的第二掩膜層，以圖案化的第二掩膜層為掩膜，刻蝕硬掩膜層至暴露出襯墊層，形成第二開口，第二開口區域與第一開口區域部分重疊；
去除所述第二掩膜層以及犧牲層；
以硬掩膜層為掩膜，同時刻蝕第一開口和第二開口，形成設定深度的第一溝槽和第二溝槽，其中，第一溝槽暴露出掩埋絕緣層，第二溝槽暴露出頂層硅。
2.根據權利要求1所述的雙溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，刻蝕硬掩膜層，襯墊層和部分頂層硅，形成第一開口后剩余的頂層硅的厚度應為第二溝槽的最終深度，為400埃。
3.根據權利要求1所述的雙溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，刻蝕硬掩膜層，襯墊層和頂層硅形成第一開口的刻蝕氣體包括CHF3，Cl2。
4.根據權利要求1所述的雙溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，刻蝕硬掩膜層和襯墊層形成第二開口的刻蝕氣體包括CHF3，Cl2。
5.根據權利要求1所述的雙溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述犧牲層為氧化硅層。
6.根據權利要求5所述的雙溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述氧化硅層采用低溫化學氣相沉積法形成。
7.根據權利要求4所述的雙溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，去除部分犧牲層至暴露出硬掩膜層的工藝為化學機械拋光工藝。
8.根據權利要求1所述的雙溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述犧牲層為BARC層。
9.根據權利要求8所述的雙溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述BARC層采用旋涂并烘烤的工藝形成。
10.根據權利要求4所述的雙溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，去除部分犧牲層至暴露出硬掩膜層的工藝為干法刻蝕工藝。
11.根據權利要求1所述的雙溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述的第一溝槽的深度為1000埃，第二溝槽的深度為400埃。
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