[發明專利]具有硅通孔(TSV)的器件及其形成方法有效
| 申請號： | 201110218303.7 | 申請日： | 2011-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN102420210A | 公開（公告）日： | 2012-04-18 |
| 發明（設計）人： | 余振華;邱文智;廖鄂斌;吳倉聚 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律師事務所 11306 | 代理人： | 陸鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 硅通孔 tsv 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一種器件，包括：
硅襯底；
硅通孔(TSV)結構，穿透所述硅襯底；以及
絕緣結構，形成在所述硅襯底和所述TSV結構之間，
其中，在所述絕緣結構和所述硅襯底之間的第一界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度，以及所述絕緣結構和所述TSV結構之間的第二界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度。
2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述絕緣結構包括與所述硅襯底相鄰的第一絕緣層以及與所述TSV結構相鄰的第二絕緣層。
3.根據權利要求2所述的器件，其中，所述第二絕緣層的各向同性蝕刻率大于所述第一絕緣層的各向同性蝕刻率。
4.根據權利要求2所述的器件，其中，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間的第三界面具有大于10nm的峰谷高度的界面粗糙度。
5.根據權利要求2所述的器件，其中，所述第一絕緣層是氧化物層，所述第二絕緣層是氧化物層。
6.根據權利要求1所述的器件，其中，所述TSV結構包括銅層。
7.根據權利要求6所述的器件，其中，所述TSV結構包括環繞所述銅層的擴散阻擋層。
8.根據權利要求1所述的器件，還包括：第一管芯，電連接至所述硅襯底的第一側。
9.根據權利要求8所述的器件，還包括：第二管芯，電連接至所述硅襯底的第二側，所述第二側與所述硅襯底的第一側相對。
10.一種方法，包括：
形成開口，所述開口從硅襯底的頂表面延伸到所述硅襯底中預定深度；
沿著所述開口的側壁和底部在所述硅襯底上形成絕緣結構；
在所述絕緣結構上形成導電層，以填充所述開口；
其中，在所述絕緣結構和所述硅襯底之間的第一界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度，以及所述絕緣結構和所述導電層之間的第二界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度。
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