[發明專利]發光二極管晶粒及其制作方法

有效

• 申請號: 201110217796.2
• 申請日: 2011-08-01
• 公開（公告）號: CN102916098A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 黃嘉宏;黃世晟;凃博閔;楊順貴;林雅雯
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管晶粒，其包括：

基板；

形成在所述基板上的磊晶層，該磊晶層包括依次生長的第一半導體層、發光層及第二半導體層；

在該磊晶層與該基板之間的若干間隔設置的球形氮化鋁，該第一半導體層完全覆蓋該若干球形氮化鋁。

2.如權利要求1所述的發光二極管晶粒，其特征在于，還包括形成在該基板上的緩沖層和形成在緩沖層上的過渡層，該若干球形氮化鋁形成在過渡層的上表面。

3.如權利要求2所述的發光二極管晶粒，其特征在于，該基板由藍寶石，碳化硅，硅或氮化鎵制成。

4.如權利要求3所述的發光二極管晶粒，其特征在于，該過渡層為未摻雜的氮化鎵或N型氮化鎵材料制成。

5.如權利要求1所述的發光二極管晶粒，其特征在于，該磊晶層是通過有機金屬化學氣相沉積法、分子束磊晶法或鹵化物化學氣相磊晶法生長而成的。

6.如權利要求1所述的發光二極管晶粒，其特征在于，該第一半導體層為N型半導體層，第二半導體層為P型半導體層。

7.如權利要求1所述的發光二極管晶粒，其特征在于，還包括分別形成在第一半導體層和第二半導體層表面上的第一電極和第二電極。

8.一種發光二極管晶粒的制作方法，其包括以下步驟：

提供一基板，該基板由藍寶石、碳化硅、硅或氮化鎵制成；

在基板上依次磊晶形成緩沖層和過渡層；

在過渡層表面鍍上一層鋁膜；

在該鋁膜的上表面做氮化處理，即鋁膜和氨氣在高溫下反應形成多個間隔設置的球形氮化鋁；

繼續在該過渡層上生長磊晶層，該磊晶層包括依次生長的第一半導體層、發光層及第二半導體層；

分別在第一半導體層和第二半導體層表面上形成第一電極和第二電極。

9.如權利要求8所述的發光二極管晶粒的制作方法，其特征在于，該基板由藍寶石、硅、碳化硅或氮化鎵制成。

10.如權利要求8所述的發光二極管晶粒的制作方法，其特征在于，該第一半導體層為N型半導體層，第二半導體層為P型半導體層。