[發明專利]發光二極管晶粒及其制作方法

有效

• 申請號: 201110217796.2
• 申請日: 2011-08-01
• 公開（公告）號: CN102916098A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 黃嘉宏;黃世晟;凃博閔;楊順貴;林雅雯
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種發光二極管晶粒及其制作方法，尤其涉及一種具有高出光效率的發光二極管晶粒及其制作方法。

背景技術

發光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)是一種可將電流轉換成特定波長范圍的光的半導體元件。發光二極管以其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅動簡單、壽命長等優點，從而可作為光源而廣泛應用于照明領域。

現有的發光二極管晶粒通常包括基板以及在基板表面生長的半導體發光結構。然而上述結構存在以下問題：半導體發光結構所發出的朝向基板一側的光線在進入基板后，會被基板所吸收，從而降低發光二極管晶粒的出光效率。

發明內容

鑒于此，有必要提供一種具有較高出光效率的發光二極管晶粒及其制作方法。

一種發光二極管晶粒，其包括：基板；形成在所述基板上的磊晶層，該磊晶層包括依次生長的第一半導體層、發光層及第二半導體層；在該磊晶層與該基板之間的若干間隔設置的球形氮化鋁，該第一半導體層完全覆蓋該若干球形氮化鋁。

一種發光二極管晶粒的制作方法，其包括以下步驟：提供一基板，該基板由藍寶石、碳化硅、硅或氮化鎵等材料制成；在基板上依次磊晶形成緩沖層和過渡層；在過渡層表面鍍上一層鋁膜；在該鋁膜的上表面做氮化處理，即鋁膜和氨氣在高溫下反應形成多個間隔設置的球形氮化鋁；繼續在該過渡層上生長磊晶層，該磊晶層包括依次生長的第一半導體層、發光層及第二半導體層；分別在第一半導體層和第二半導體層表面上形成第一電極和第二電極。

本發明通過在第一半導體層與基板之間形成若干間隔設置的球形氮化鋁，可提高發光層發出的朝向基板的光線經全反射向上出射的幾率，從而提高發光二極管晶粒的出光效率。

附圖說明

圖1是本發明的發光二極管晶粒的示意圖。

圖2是本發明的發光二極管晶粒的制作方法步驟一和步驟二所提供的基板、緩沖層和過渡層的示意圖。

圖3是本發明的發光二極管晶粒的制作方法步驟三所得到的發光二極管晶粒的示意圖。

圖4是本發明的發光二極管晶粒的制作方法步驟三經氮化處理時的示意圖。

圖5是本發明的發光二極管晶粒的制作方法步驟四所得到的發光二極管晶粒的示意圖。

圖6是本發明的發光二極管晶粒的制作方法步驟五所得到的發光二極管晶粒的示意圖。

主要元件符號說明