[發明專利]發光二極管封裝結構的形成方法及其基座的形成方法有效
| 申請號： | 201110217779.9 | 申請日： | 2011-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN102916089A | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 柯志勛;蔡明達;張超雄 | 申請（專利權）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 封裝 結構 形成 方法 及其 基座 | ||
1.一種發光二極管封裝結構基座的形成方法，其包括以下幾個步驟：
步驟一，提供一基板，在基板上開設多個通孔，該多個通孔將基板平均分為多個基板單元；
步驟二，對基板表面進行蝕刻，使每個基板單元表面上形成擋墻；
步驟三，在每個基板單元上形成金屬電極層；
步驟四，在每個基板單元上設置反射壁，每個反射壁與每個基板單元構成一容置杯，擋墻位于容置杯中；及
步驟五，沿基板的通孔切割形成多個基座。
2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構基座的形成方法，其特征在于：所述通孔的形成方法采用蝕刻或者機械方式形成。
3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構基座的形成方法，其特征在于：所述擋墻形成在每個基板單元上表面上，在步驟二中還包括對基板的下表面進行蝕刻，使每個基板單元上下表面上形成一凸起結構。
4.如權利要求3所述的發光二極管封裝結構基座的形成方法，其特征在于：每個基板單元上形成有第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極分別位于擋墻的兩側，其中該第一電極和第二電極的一端分別伸至擋墻，另一端分別從基板的通孔延伸至凸起結構。
5.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構基座的形成方法，其特征在于：所述反射壁與基板的結合方式采用粘結或者共燒。
6.一種發光二極管封裝結構的形成方法，其包括以下幾個步驟：
步驟一，提供一基板，在基板上開設多個通孔，該多個通孔將基板平均分為多個基板單元；
步驟二，對基板表面進行蝕刻，使每個基板單元表面上形成擋墻；
步驟三，在每個基板單元上形成金屬電極層；
步驟四，在每個基板單元上設置反射壁，每個反射壁與每個基板單元構成一容置杯，擋墻位于容置杯中；
步驟五，將多個第一發光二極管和第二發光二極管分別設置在每個基板單元的擋墻的兩側；
步驟六，在每個基板單元的容置杯中填充封裝材料；
步驟七，沿基板的通孔切割形成多個發光二極管封裝結構。
7.如權利要求6所述的發光二極管封裝結構的形成方法，其特征在于：所述擋墻形成在每個基板單元上表面上，在步驟二中還包括對基板的下表面進行蝕刻，使每個基板單元上下表面上形成一凸起結構。
8.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構的形成方法，其特征在于：每個基板單元上形成有第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極分別位于擋墻的兩側，其中該第一電極和第二電極的一端分別伸至擋墻，另一端分別從基板的通孔延伸至凸起結構。
9.如權利要求8所述的發光二極管封裝結構的形成方法，其特征在于：所述步驟五還包括第一發光二極管設置在第一電極上，將第二發光二極管設置在第二電極上，再分別通過導線將第一發光二極管和第二發光二極管與第一電極和第二電極連接。
10.如權利要求6所述的發光二極管封裝結構的形成方法，其特征在于：所述反射壁與基板的結合方式采用粘結或者共燒。
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