[發明專利]拉制1.6米單晶棒工藝

無效

• 申請號: 201110217605.2
• 申請日: 2011-08-01
• 公開（公告）號: CN102912427A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 陳春成;戚建靜
• 申請（專利權）人: 蘇州東泰太陽能科技有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛;趙艷

技術領域

本發明涉及一種拉制1.6米單晶棒工藝。

背景技術

目前，對與單晶棒的拉制有許多種的方法，但是拉制時的參數直接能影響到單晶棒產品的質量。這些參數中主要包括有溫度、單晶棒拉速以及石英坩堝的堝升速。如何通過控制該升速來提高單晶棒的拉制質量，仍然存在很大的提升空間。

發明內容

本發明目的是提供一種拉制1.6米單晶棒工藝。

為達到上述目的，本發明采用的技術方案是：

一種拉制1.6米單晶棒工藝，將硅熔融液放置在石英坩堝，并使石英坩堝以規定的轉速進行旋轉，將待拉制1.6米的單晶棒分成若干個長度段：4段30mm、1段60mm、3段150mm、2段120mm、3段100mm、3段80mm以及4段50mm，在拉制過程中，

4段30mm長度段的溫度從-9度升至1度，單晶棒的拉速從1.35降至1.27，堝升速從0.136降至0.131；

1段60mm長度段的溫度為2度，單晶棒的拉速為1.25，堝升速為0.129；

3段150mm長度段的溫度為2度，單晶棒的拉速從1.24降至1.2，堝升速從0.127降至0.122；

2段120mm長度段的溫度為2度，單晶棒的拉速從1.18降至1.16，堝升速從0.119降至0.115；

3段100mm長度段的溫度為3度，單晶棒的拉速從1.14降至1.1，堝升速從0.111降至0.104；

3段80mm長度段的溫度從4度升至5度，單晶棒的拉速從1.08降至1.04，堝升速從0.1降至0.09；

4段50mm長度段的溫度從5度升至6度，單晶棒的拉速從1.02降至0.95，堝升速從0.086降至0.072；

所述的拉速、堝升速的速度單位為min/mm。

優選地，4段30mm長度段的溫度分別為-9度、0度、0度和1度；單晶棒的拉速分別為1.35、1.3、1.28和1.27，堝升速分別為0.136、0.133、0.132和0.131。

優選地，3段150mm長度段的單晶棒的拉速分別為1.24、1.22和1.2，堝升速分別為0.127、0.124、和0.122。

優選地，2段120mm長度段的單晶棒的拉速分別為1.18和1.16，堝升速分別為0.119和0.115。

優選地，3段100mm長度段的單晶棒的拉速分別為1.14、1.12和1.1，堝升速分別為0.111、0.108和0.104。

優選地，3段80mm長度段的溫度分別為4度、4度和5度；單晶棒的拉速分別為1.08、1.04和1.04，堝升速分別為0.1、0.095和0.09。

優選地，4段50mm長度段的溫度分別為5度、5度、5度和6度；單晶棒的拉速分別為1.02、1、0.98和0.95，堝升速分別為0.086、0.081、0.077、0.072。

由于上述技術方案運用，本發明與現有技術相比具有下列優點和效果：通過本工藝能夠有效的提高單晶棒的生產速度，降低生產成本。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明作進一步描述：

一種拉制1.6米單晶棒工藝，將硅熔融液放置在石英坩堝，并使石英坩堝以規定的轉速進行旋轉，將待拉制1.6米的單晶棒分成若干個長度段：4段30mm、1段60mm、3段150mm、2段120mm、3段100mm、3段80mm以及4段50mm，在拉制過程中參照表一，控制各個長度段的溫度、單晶棒拉速以及堝升速：

根據上述溫度、單晶棒拉速、堝升速對單晶棒進行拉制即可。

上述實施例只為說明本發明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本發明的內容并據以實施，并不能以此限制本發明的保護范圍。凡根據本發明精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。