[發明專利]集成電路的布局結構與版本控制電路有效
| 申請號: | 201110217281.2 | 申請日: | 2011-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN102903714A | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發明(設計)人: | 邱永明 | 申請(專利權)人: | 瑞昱半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/535 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 布局 結構 版本 控制電路 | ||
1.一種集成電路的布局結構,其包含:
一信號供應單元,提供一第一信號及一第二信號;以及
至少一傳輸單元,具有多個金屬層,這些所述金屬層相互連接,這些所述金屬層的其中之一接收并傳輸所述第一信號;
其中,當所述傳輸單元所傳送的信號變更為所述第二信號時,這些所述金屬層的至少其一中斷傳輸所述第一信號,而接收并輸出所述第二信號。
2.根據權利要求1所述的集成電路的布局結構,其中這些所述金屬層包含:
多個第一金屬層,其相互連接,這些所述第一金屬層的其中之一用以接收并傳輸所述第一信號或所述第二信號;以及
多個第二金屬層,耦接這些所述第一金屬層,以傳輸所述第一信號或所述第二信號;
其中,當所述傳輸單元所傳送的信號變更為所述第二信號時,這些所述第一金屬層中斷傳輸所述第一信號,這些所述第二金屬層的其中之一接收并傳輸所述第二信號。
3.根據權利要求2所述的集成電路的布局結構,其中這些所述第一金屬層彼此相互串聯,而這些所述第二金屬層彼此相互串聯。
4.根據權利要求3所述的集成電路的布局結構,其中還包括一連接層,串接這些所述第一金屬層與這些所述第二金屬層。
5.根據權利要求1所述的集成電路的布局結構,其中所述信號供應單元包含:
一轉換單元,接收所述第一信號,并轉換所述第一信號為所述第二信號。
6.根據權利要求1所述的集成電路的布局結構,其中所述信號供應單元還包含:
多個第一供應層,其相互連接,以接收并提供所述第一信號;以及
多個第二供應層,其相互連接,以接收并提供所述第二信號。
7.根據權利要求6所述的集成電路的布局結構,其中這些所述第一供應層是相互串聯連接的,而這些所述第二供應層是相互串聯連接的。
8.根據權利要求1所述的集成電路的布局結構,其應用于集成電路的版本更改。
9.根據權利要求1所述的集成電路的布局結構,其應用于集成電路的布局結構的除錯。
10.一種集成電路的版本控制電路,包含:
多個傳送路徑鏈,每一所述傳送路徑鏈分別輸出一輸出信號,所述多個輸出信號以形成一版本指示信號;
其中,每一所述傳送路徑鏈包括有多個傳輸單元,所述多個傳輸單元串行連接而形成所述傳送路徑鏈。
11.根據權利要求10所述的版本控制電路,其中,每一所述傳輸單元具有相互連接的多個金屬層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





