[發明專利]半導體背面用切割帶集成膜和生產所述膜的方法,及生產半導體器件的方法

無效

• 申請號: 201110216979.2
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號: CN102373020A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 高本尚英;志賀豪士;淺井文輝
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;H01L21/68
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術領域

本發明涉及半導體背面用切割帶集成膜和生產所述膜的方法。所述半導體背面用膜用于保護半導體元件如半導體芯片的背面和提高其強度。本發明還涉及生產半導體器件的方法。?

背景技術

近年來，日益要求半導體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此，作為半導體器件及其封裝，已經廣泛地利用其中借助于倒裝芯片接合將半導體元件例如半導體芯片安裝(倒裝芯片連接)于基板上的倒裝芯片型半導體器件。在此類倒裝芯片連接中，將半導體芯片以該半導體芯片的電路面與基板的電極形成面相對的形式固定至基板。在此類半導體器件等中，可能存在半導體芯片的背面用保護膜保護以防止半導體芯片損壞等的情況(參見，專利文獻1至3)。?

專利文獻1：JP-A-2008-166451?

專利文獻2：JP-A-2008-006386?

專利文獻3：JP-A-2007-261035?

然而，為了通過保護膜保護半導體芯片的背面，必須增加將所述保護膜粘貼至切割步驟中獲得的半導體芯片的背面的新步驟。結果，加工步驟的數量增加和生產成本等增加。因此，為了降低生產成本的目的，本發明人開發了一種半導體背面用切割帶集成膜，且對所述膜提交了專利申請(該申請在本申請提交時是未公開的)。該半導體背面用切割帶集成膜具有包括以下的結構：具有基材和層壓在所述基材上的壓敏粘合劑層的切割?帶，和在切割帶的壓敏粘合劑層上形成的倒裝芯片型半導體背面用膜。?

為了生產半導體器件，通常如下使用半導體背面用切割帶集成膜。首先，將半導體晶片粘貼至半導體背面用切割帶集成膜中的倒裝芯片型半導體背面用膜上。接著，切割半導體晶片以形成半導體芯片。隨后，將所述半導體芯片與所述倒裝芯片型半導體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離并拾取，然后將所述半導體芯片倒裝芯片連接至被粘物如基板上。由此，獲得倒裝芯片型半導體器件。?

此處，為了確認切割后是否存在在獲得的半導體芯片中發生的任何不足如碎裂(chipping)等，半導體背面用切割帶集成膜可以從其切割帶側(與粘至半導體芯片的一側相對)用光學顯微鏡或通過IR照射來檢查。然而，在常規器件中，切割帶的基材經常看起來發白和渾濁，在這種情況下，可見度在從切割帶側的觀察中不能說是令人滿意的，半導體圖像可能不清楚，因此情況是，不能檢測半導體芯片的不足。?

發明內容

考慮到前述問題進行本發明，其目的是提供半導體背面用切割帶集成膜，及其生產方法，和生產使用該膜的半導體器件的方法，所述半導體背面用切割帶集成膜在切割步驟后的半導體芯片檢查中具有高透光率且半導體芯片圖像的可見度優良。?

為了解決前述問題，本發明人進行了廣泛和深入的研究，結果，得出以下內容。在生產半導體背面用切割帶集成膜的前置階段中，將基材卷繞成卷形物(roll)，為了防止基材彼此粘連的目的及為了通過基材表面的凹凸加工處理來優化其加工性，將基材特定地加工從而在其表面上形成凹凸，例如，通過壓花?等，由于凹凸加工處理，切割帶的基材將看起來發白和渾濁。?

源于上述感知，發明人進一步發現，當采用以下構造時，則能夠提供半導體背面用切割帶集成膜，并完成了發明，所述半導體背面用切割帶集成膜在切割步驟后的檢查步驟中具有高透光率且半導體芯片圖像的可見度優良。?

即，本發明提供一種半導體背面用切割帶集成膜(下文中稱為“集成膜”)，其包括：切割帶和半導體背面用膜，所述切割帶包含具有凹凸加工面的基材和層壓在所述基材上的壓敏粘合劑層，所述半導體背面用膜層壓于所述切割帶的壓敏粘合劑層上，其中所述切割帶具有至多45％的霧度。在所述集成膜中，包含具有凹凸加工面的基材和壓敏粘合劑層的切割帶的霧度為至多45％，因此，可以提高在半導體芯片的檢查步驟中所述膜的透光率。結果，可以改進通過用光照射的半導體芯片的可見度，且可以有效地檢測半導體芯片中不足的發生。在本發明中，光具有包括IR射線的概念。?

優選地，將壓敏粘合劑層層壓在基材的凹凸加工面上。具體地采用該構造使得易于控制切割帶的霧度落入本發明限定的范圍內。具體地，通過粘合基材的凹凸加工面和層壓在其上的壓敏粘合劑層，凹凸加工面和壓敏粘合劑層彼此緊密接合，可填滿兩者之間的間隙。因此，可以防止透過切割帶的光散射，由此可以提高切割帶的透過率從而降低其霧度。?