[發(fā)明專利]半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜和生產(chǎn)所述膜的方法,及生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110216979.2 | 申請日： | 2011-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN102373020A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高本尚英;志賀豪士;淺井文輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | C09J7/02 | 分類號： | C09J7/02;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 背面 切割 集成 生產(chǎn) 方法 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括：
切割帶，所述切割帶包括具有凹凸加工面的基材和層壓在所述基材上的壓敏粘合劑層；和
半導(dǎo)體背面用膜，所述半導(dǎo)體背面用膜層壓于所述切割帶的壓敏粘合劑層上，
其中所述切割帶具有至多45％的霧度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，
其中將所述壓敏粘合劑層層壓在所述基材的所述凹凸加工面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述凹凸加工面是壓花表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中通過熱層壓來層壓所述基材和所述壓敏粘合劑層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述壓敏粘合劑層具有5μm至50μm的厚度。
6.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法，所述方法包括：
制備具有凹凸加工面的基材，
在所述基材的所述凹凸加工面上層壓壓敏粘合劑層，和
在所述壓敏粘合劑層上層壓半導(dǎo)體背面用膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)方法，其中通過熱層壓來層壓所述基材和所述壓敏粘合劑層。
8.一種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：
將半導(dǎo)體晶片粘貼至根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜上，
切割所述半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體芯片，
檢查所述半導(dǎo)體芯片，
將所述半導(dǎo)體芯片與所述半導(dǎo)體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離，和
將所述半導(dǎo)體芯片倒裝芯片連接至被粘物上。
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