[發明專利]去除光刻膠層的方法

無效

• 申請號: 201110216810.7
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號: CN102902169A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 劉煥新;何永根
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種去除光刻膠層的方法。

背景技術

半導體器件的形成過程中，通常利用光刻工藝將掩模板上的掩膜圖形轉移到半導體器件表面的光刻膠層中，再將掩膜圖形通過刻蝕工藝轉移到半導體器件中，或者以所述光刻膠層為掩膜對半導體器件進行離子注入，最后再將光刻膠層去除。

現有技術中，去除光刻膠層的方法包括：

請參考圖1，提供基底100，所述基底100表面形成有光刻膠層101；以所述光刻膠層101為掩膜向所述基底100內注入離子105，所述光刻膠層101中包括離子105；

請參考圖2，待注入完所述離子105后，采用灰化工藝去除部分所述光刻膠層101；采用硫酸(H₂SO₄)和雙氧水(H₂O₂)的混合溶液去除剩余的光刻膠層101。

然而，現有技術的光刻膠層去除的不夠徹底，影響了形成半導體器件的后續工藝。

在“US6627588B1”的美國專利中，也公開了一種采用脂肪醇(aliphatic?alcohol)去除光刻膠層的方法，此種方法的工藝條件復雜，對設備的要求高。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種能夠徹底去除光刻膠層的方法。

為解決上述問題，本發明提供了一種去除光刻膠層的方法，包括：

提供包含硅原子的基底；所述基底表面形成有光刻膠層，所述光刻膠層內至少包括摻雜離子和硅原子；

采用濕法刻蝕工藝去除所述光刻膠層，所述濕法刻蝕工藝采用的化學試劑至少包括去除摻雜離子的第一試劑和去除硅原子和/或硅的氧化物的第二試劑。

可選地，所述摻雜離子包括Ge、P、As、P、N、F離子中的一種或多種組合；所述第一試劑為臭氧水；所述第二試劑為氫氟酸。

可選地，所述濕法刻蝕工藝的步驟包括：采用臭氧水去除部分包含摻雜離子的光刻膠層；再采用氫氟酸去除光刻膠層中的硅原子和/或硅的氧化物；最后采用臭氧水去除剩余的包含摻雜離子的光刻膠層。

可選地，所述采用氫氟酸去除光刻膠層中的硅原子和/或硅的氧化物，再采用臭氧水去除剩余的包含摻雜離子的光刻膠層的步驟可以執行一次或多次。

可選地，在采用臭氧水去除部分包含摻雜離子的光刻膠層之前，采用灰化工藝去除部分光刻膠層。

可選地，所述灰化工藝采用的氣體包括O₂、N₂和H₂，其中，所述O₂的流量為1～8L/min；所述N₂和H₂的流量為0.8～1.2L/min。

可選地，所述臭氧水去除所述包含摻雜離子的光刻膠層時，臭氧水的濃度為20～50ppm，濕法刻蝕的溫度為20～35℃，濕法刻蝕的時間為0.5～2min。

可選地，所述氫氟酸中HF∶H₂O的比例為1∶300～1∶500，所述氫氟酸去除所述硅原子和/或硅的氧化物的時間為5～15S。

與現有技術相比，本發明的實施例具有以下優點：

本發明實施例的去除光刻膠層的方法，所述濕法刻蝕工藝采用的化學試劑至少包括第一試劑和第二試劑，所述第一試劑用以去除包含有摻雜離子的光刻膠層，所述第二試劑用以去除光刻膠層中的硅原子和/或硅的氧化物。本發明實施例的光刻膠層去除的比較徹底。

進一步的，本發明實施例的第一試劑為臭氧水，所述第一試劑不僅可以去除包含有摻雜離子的光刻膠層，還可以將光刻膠層中的硅原子氧化形成二氧化硅；本發明實施例的第二試劑為稀釋的氫氟酸，例如HF∶H₂O的比例為1∶300～1∶500的氫氟酸，可以將光刻膠層中的硅原子和/或硅原子氧化形成的二氧化硅予以去除。本發明實施例的去除光刻膠層的方法能夠簡單有效的徹底去除基底表面的光刻膠層。

更進一步的，本發明實施例的去除光刻膠層的方法，首先采用灰化工藝去除部分光刻膠層；然后采用第一試劑去除剩余的部分包含有摻雜離子的光刻膠層，同時第一試劑將剩余的光刻膠層中的硅原子氧化成二氧化硅；再采用第二試劑去除光刻膠層中的二氧化硅；最后再采用第一試劑將殘留的包含有摻雜離子的光刻膠層徹底去除。本發明實施例的去除光刻膠層的方法簡單有效，且光刻膠層去除徹底。

附圖說明

圖1～圖2是現有技術的去除光刻膠層的方法的剖面結構示意圖；