[發明專利]去除光刻膠層的方法

無效

• 申請號: 201110216810.7
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號: CN102902169A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 劉煥新;何永根
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種去除光刻膠層的方法，包括：

提供包含硅原子的基底；所述基底表面形成有光刻膠層，所述光刻膠層內至少包括摻雜離子和硅原子；

其特征在于，還包括：

采用濕法刻蝕工藝去除所述光刻膠層，所述濕法刻蝕工藝采用的化學試劑至少包括去除摻雜離子的第一試劑、去除硅原子和/或硅的氧化物的第二試劑。

2.如權利要求1所述的去除光刻膠層的方法，其特征在于，所述摻雜離子包括Ge、P、As、P、N、F離子中的一種或多種組合；所述第一試劑為臭氧水；所述第二試劑為氫氟酸。

3.如權利要求2所述的去除光刻膠層的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝的步驟包括：采用臭氧水去除部分包含摻雜離子的光刻膠層；再采用氫氟酸去除光刻膠層中的硅原子和/或硅的氧化物；最后采用臭氧水去除剩余的包含摻雜離子的光刻膠層。

4.如權利要求3所述的去除光刻膠層的方法，其特征在于，所述采用氫氟酸去除光刻膠層中的硅原子和/或硅的氧化物，再采用臭氧水去除剩余的包含摻雜離子的光刻膠層的步驟可以執行一次或多次。

5.如權利要求3所述的去除光刻膠層的方法，其特征在于，在采用臭氧水去除部分包含摻雜離子的光刻膠層之前，采用灰化工藝去除部分光刻膠層。

6.如權利要求5所述的去除光刻膠層的方法，其特征在于，所述灰化工藝采用的氣體包括O₂、N₂和H₂，其中，所述O₂的流量為1～8L/min；所述N₂和H₂的流量為0.8～1.2L/min。

7.如權利要求2所述的去除光刻膠層的方法，其特征在于，所述臭氧水去除所述包含摻雜離子的光刻膠層時，臭氧水的濃度為20～50ppm，濕法刻蝕的溫度為20～35℃，濕法刻蝕的時間為0.5～2min。

8.如權利要求2所述的去除光刻膠層的方法，其特征在于，所述氫氟酸中HF∶H₂O的比例為1∶300～1∶500，所述氫氟酸去除所述硅原子和/或硅的氧化物的時間為5～15S。