[發明專利]鍍膜件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110215438.8
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號: CN102896842A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 張新倍;蔣煥梧;陳正士;李聰
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: B32B18/00
• 分類號: B32B18/00;C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鍍膜件，包括基體，其特征在于：該鍍膜件還包括通過真空鍍膜的方式依次形成于基體上的第一陶瓷層、色彩層及第二陶瓷層；該第一陶瓷層主要由Al和Si中的任一種、O及N三種元素組成；所述色彩層主要由Al和Zn中的任一種、O及N三種元素組成組成；所述第二陶瓷層主要由Al和Si中的任一種、O及N三種元素組組成。

2.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：當第一陶瓷層或第二陶瓷層主要由Al、O及N三種元素組成時，其中Al的質量百分含量為60~70%，O的質量百分含量為25~28%，N的質量百分含量為2~15%。

3.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：當第一陶瓷層或第二陶瓷層主要由Si、O及N三種元素組成時，其中Si的質量百分含量為65~75%，O的質量百分含量為17~22%，N的質量百分含量為3~18%。

4.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：當色彩層主要由Al、O及N三種元素組成時，該色彩層中Al的質量百分含量為90~95%，O的質量百分含量為2~4%，N的質量百分含量為1~8%。

5.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：當色彩層主要由Zn、O及N三種元素組成時，該色彩層中Zn的質量百分含量為60~72%，O的質量百分含量為18~25%，N的質量百分含量為3~22%。

6.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述色彩層的色度區域于CIE?LAB表色系統的L*坐標為89至93。

7.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：該第二陶瓷層由平均粒徑為10~15nm的納米顆粒組成，該第二陶瓷層的表面粗糙度Ra為10~40nm。

8.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述第一陶瓷層的厚度為1~2μm，所述第二陶瓷層的厚度為1.5~2μm。

9.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述鍍膜件于該第二陶瓷層表面的60°角光澤度為101~108；色度區域于CIE?LAB表色系統的L*坐標為89至93，a*坐標為-0.5至0.5，b*坐標為-0.5至0.5，呈現為白色。

10.一種鍍膜件的制造方法，其包括如下步驟：

提供基體；

采用真空鍍膜法，以鋁、鋁合金、硅或硅合金為靶材，以氧氣及氮氣為反應氣體，在該基體的表面形成第一陶瓷層，該第一陶瓷層主要由Al和Si中的任一種、O及N三種元素組成；

對所述第一陶瓷層的表面進行精拋處理；

采用真空鍍膜法，以鋁、鋁合金、鋅或鋅合金為靶材，以氧氣及氮氣為反應氣體，在該第一陶瓷層上形成色彩層，該色彩層主要由Al和Zn中的任一種、O及N三種元素組成；

采用真空鍍膜法，以鋁、鋁合金、硅或硅合金為靶材，以氧氣及氮氣為反應氣體，在該基體的表面形成第二陶瓷層，該第一陶瓷層主要由Al和Si中的任一種、O及N三種元素組成；

對所述第二陶瓷層表面進行精拋處理。

11.如權利要求10所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：用以形成所述第一陶瓷層或第二陶瓷層的靶材中，鋁合金靶中鋁的質量百分含量為90~95%；硅合金靶中硅的質量百分含量為75~88%。

12.如權利要求10所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：用以形成所述色彩層的靶材中，鋁合金靶中鋁的質量百分含量為89~95%，鋅合金靶中鋅的質量百分含量為87~92%。

13.如權利要求10或11所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：形成所述第一陶瓷層的方法為：采用磁控濺射鍍膜法，設置鋁靶、鋁合金靶、硅靶或硅合金靶的功率為5~10kw，氧氣的流量為50~200sccm、氮氣的流量為80~300sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為100~300sccm，施加于基體的偏壓為-100~-300V，鍍膜溫度為20~200℃，鍍膜時間為25~30min。