[發明專利]在太陽能電池組件中植入RFID芯片的工藝有效
| 申請號: | 201110214561.8 | 申請日: | 2011-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN102315322A | 公開(公告)日: | 2012-01-11 |
| 發明(設計)人: | 李解;高娟;陳啟聰;李兆廷 | 申請(專利權)人: | 東旭集團有限公司;成都泰軼斯太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司: | 深圳市智科友專利商標事務所 44241 | 代理人: | 曲家彬 |
| 地址: | 050021 *** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 組件 植入 rfid 芯片 工藝 | ||
1.在太陽能電池組件中植入RFID芯片的工藝,以上工藝是在太陽能電池組件的合片工序中完成的,合片工序包括:在基板玻璃上貼絕緣膠帶,然后在絕緣膠帶上貼匯流帶,借助超聲波焊接機焊接兩邊的引流帶,對基板玻璃上的金屬導電層進行清邊處理,之后借助封裝材將背板玻璃與基板玻璃在合片機中封裝合片,其特征在于:在清邊處理后植入RFID芯片,具體步驟包括:
a、將玻璃基板在傳送帶上定位;
b、將RFID芯片設置在清邊處理后的玻璃設計區域上;
c、覆蓋封裝材并進行后續合片步驟。
2.根據權利要求1所述的在太陽能電池組件中植入RFID芯片的工藝,其特征在于:在設置RFID芯片前,首先在RFID芯片底端面上涂一層硅膠。
3.根據權利要求1所述的在太陽能電池組件中植入RFID芯片的工藝,其特征在于:所述的引流帶為Al、Ag、Sn、Cu中的一種,或兩種、或兩種以上組成的混合物。
4.根據權利要求1所述的在太陽能電池組件中植入RFID芯片的工藝,其特征在于:所述的匯流帶為Al、Ag、Sn、Cu中的一種,或兩種、或兩種以上組成的混合物。
5.根據權利要求1所述的在太陽能電池組件中植入RFID芯片的工藝,其特征在于:所述的絕緣膠帶材質為PET或者PVC。
6.根據權利要求1所述的在太陽能電池組件中植入RFID芯片的工藝,其特征在于:所述的RFID芯片為厚度0.1~0.14mm,大小為(5mm×5mm)~(10mm×10mm)。
7.根據權利要求1所述的在太陽能電池組件中植入RFID芯片的工藝,其特征在于:所述的封裝材的材質是PVB或者EVA。
8.根據權利要求1所述的在太陽能電池組件中植入RFID芯片的工藝,其特征在于:所述的基板玻璃或背板玻璃中用的玻璃是普通超白玻璃、或是鋼化玻璃、或是半鋼化玻璃。
9.根據權利要求1所述的在太陽能電池組件中植入RFID芯片的工藝,其特征在于:所述的RFID芯片是有源RFID芯片或是無源RFID芯片,如果是無源RFID芯片,太陽能電池組件的電源端引出引線連接無源RFID芯片的電源端。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東旭集團有限公司;成都泰軼斯太陽能科技有限公司,未經東旭集團有限公司;成都泰軼斯太陽能科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110214561.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種新型計算器
- 下一篇:一種汽車側向雷達探測系統
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





