[發(fā)明專利]雙半導(dǎo)體芯片單次壓模工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110213819.2 | 申請日: | 2011-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN102270591A | 公開(公告)日: | 2011-12-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 桑林波;韓福彬;陶少勇 | 申請(專利權(quán))人: | 杰群電子科技(東莞)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/603 | 分類號: | H01L21/603;H01L21/56 |
| 代理公司: | 東莞市華南專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44215 | 代理人: | 雷利平 |
| 地址: | 523750 廣東省東莞市黃江鎮(zhèn)裕元工*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 芯片 單次壓模 工藝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及雙半導(dǎo)體芯片單次壓模工藝。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體芯片焊接封裝技術(shù)領(lǐng)域中,首先用壓模頭將焊錫壓成均勻的厚度和形狀,然后將芯片貼在焊錫上再進(jìn)行焊接。壓模頭用于調(diào)節(jié)芯片與基板之間的焊錫的平整度、厚度和寬度。
目前對并列焊接布置的雙半導(dǎo)體芯片進(jìn)行焊接采用的壓模工藝是采用兩個不同的壓模頭進(jìn)行的。用第一壓模頭壓出第一芯片需要的錫形狀,然后放置第一芯片在錫上并下壓形成第一芯片與基板焊接;用第二壓模頭去壓出第二芯片所需要的錫形狀,然后放置第二芯片在錫上并下壓形成第二芯片與基板焊接。由于是焊接兩個芯片,所以用兩次分別壓出兩個芯片所需要的焊錫形狀大小,然后分兩次進(jìn)行焊接芯片的動作。
由于壓模頭越小,壓模成型性越差,兩次壓模每次壓模錫形成的形狀很小,所以兩個芯片交界處的錫形狀很不完美,可能造成錫溢到基板以外。例如,在壓出第二芯片所需的焊錫形狀的同時,第二壓模頭會壓到第一壓模頭的邊界,在此處容易造成兩次壓模所形成的焊錫連接在一起并形成回流,從而造成兩個芯片中間比較高,兩邊比較低的芯片傾斜,從而造成下一流程中焊線設(shè)備視覺系統(tǒng)不能正確認(rèn)識,從而不能進(jìn)行焊線作業(yè)的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于避免現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處而提供一種雙半導(dǎo)體芯片單次壓模工藝,其節(jié)約改機(jī)時間,壓模所形成錫的形狀更完美。
本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)措施實(shí)現(xiàn)。
雙半導(dǎo)體芯片單次壓模工藝,步驟包括:
(a)用壓模面尺寸超過雙芯片并列大小的壓模頭壓出錫形狀,然后放置第一芯片在錫上并下壓形成芯片與基板焊接;
(b)放置第二芯片在錫上并下壓形成芯片與基板焊接。
所述壓模頭的壓模面四周設(shè)置有構(gòu)成長方形的四條周邊排氣槽。
所述壓模面的深度為0.04mm,所述周邊排氣槽的深度為0.16mm。
所述周邊排氣槽的對角線設(shè)置有交叉排氣槽。
所述交叉排氣槽與所述周邊排氣槽的深度和寬度相同。
所述交叉排氣槽的深度小于所述周邊排氣槽的深度。
本發(fā)明用單個較大壓模頭壓出兩個芯片所需要的焊錫形狀大小,壓模頭愈大,壓出錫的形狀越完美,然后依次進(jìn)行焊接第一芯片和第二芯片的動作,可以形成比較完美的錫的形狀,并且傾斜度較小,利于后續(xù)作業(yè);同時節(jié)約改機(jī)時間。
具體實(shí)施方式
結(jié)合以下實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
雙半導(dǎo)體芯片單次壓模工藝,步驟包括:
(a)用壓模面尺寸超過雙芯片并列大小的壓模頭壓出錫形狀,然后放置第一芯片在錫上并下壓形成芯片與基板焊接;
(b)放置第二芯片在錫上并下壓形成芯片與基板焊接。
由于是焊接兩個芯片,所以用單個較大壓模頭壓出兩個芯片所需要的焊錫形狀大小,然后分依次進(jìn)行焊接芯片的動作,但不進(jìn)行壓模動作。可以形成比較完美的錫的形狀,并且傾斜度較小,利于后續(xù)作業(yè)。
而且,節(jié)約改機(jī)時間,壓模所形成錫的形狀更完美,解決芯片傾斜有利于后續(xù)焊線作業(yè)。
所述壓模頭的壓模面四周設(shè)置有構(gòu)成長方形的四條周邊排氣槽。
所述壓模面的深度為0.04mm,所述周邊排氣槽的深度為0.16mm。
所述周邊排氣槽的對角線設(shè)置有交叉排氣槽。
所述交叉排氣槽與所述周邊排氣槽的深度和寬度相同。
所述交叉排氣槽的深度小于所述周邊排氣槽的深度。
最后應(yīng)當(dāng)說明的是,以上實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制,盡管參照較佳實(shí)施例對本發(fā)明作了詳細(xì)說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換,而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





