[發(fā)明專利]雙半導(dǎo)體芯片單次壓模工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110213819.2 | 申請日： | 2011-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN102270591A | 公開（公告）日： | 2011-12-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 桑林波;韓福彬;陶少勇 | 申請（專利權(quán)）人： | 杰群電子科技（東莞）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/603 | 分類號： | H01L21/603;H01L21/56 |
| 代理公司： | 東莞市華南專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44215 | 代理人： | 雷利平 |
| 地址： | 523750 廣東省東莞市黃江鎮(zhèn)裕元工*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 芯片 單次壓模 工藝 | ||
1.雙半導(dǎo)體芯片單次壓模工藝，其特征在于：步驟包括：
（a）用壓模面尺寸超過雙芯片并列大小的壓模頭壓出錫形狀，然后放置第一芯片在錫上并下壓形成芯片與基板焊接；
（b）放置第二芯片在錫上并下壓形成芯片與基板焊接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙半導(dǎo)體芯片單次壓模工藝，其特征在于：所述壓模頭的壓模面四周設(shè)置有構(gòu)成長方形的四條周邊排氣槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙半導(dǎo)體芯片單次壓模工藝，其特征在于：所述壓模面的深度為0.04mm，所述周邊排氣槽的深度為0.16mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙半導(dǎo)體芯片單次壓模工藝，其特征在于：所述周邊排氣槽的對角線設(shè)置有交叉排氣槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙半導(dǎo)體芯片單次壓模工藝，其特征在于：所述交叉排氣槽與所述周邊排氣槽的深度和寬度相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙半導(dǎo)體芯片單次壓模工藝，其特征在于：所述交叉排氣槽的深度小于所述周邊排氣槽的深度。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
