[發明專利]異質接面太陽能電池

有效

• 申請號: 201110213675.0
• 申請日: 2011-07-28
• 公開（公告）號: CN102655185B
• 公開（公告）日: 2016-04-27
• 發明（設計）人: 謝芳吉;王立康
• 申請（專利權）人: 王立康;江蘇艾德太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/078;H01L31/18
• 代理公司: 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113
• 代理人: 何為;李宇

1.一種異質接面太陽能電池，其特征在于至少包括：

一含有電性摻雜的硅晶基板，于其照光側及背光側表面分別具有一硅晶基板表面區域及一背表面場區域，且該硅晶基板原始摻雜濃度小于10¹⁹cm^-3；

一本質非晶硅薄膜，覆蓋在該硅晶基板照光側表面的硅晶基板表面區域上，其電子能隙大于該硅晶基板電子能隙，并與該硅晶基板表面區域構成一擴散區域；且該本質非晶硅薄膜經電性摻雜擴散后形成含有電性摻雜的非晶硅薄膜，且該非晶硅薄膜與該硅晶基板表面區域之間形成異質接面，而該硅晶基板的照光側與該硅晶基板表面區域之間形成同質接面；

一透明導電層，覆蓋在該硅晶基板照光側表面的非晶硅薄膜上；

一前電極，具有線條形態，覆蓋在該透明導電層上；

一背電極，覆蓋在該硅晶基板背光側表面的背表面場區域上；以及

上述該非晶硅薄膜與該硅晶基板表面區域之間的異質接面，以及該硅晶基板照光側與該硅晶基板表面區域之間的同質接面由一次電性摻雜擴散形成。

2.根據權利要求１所述的異質接面太陽能電池，其特征在于，該硅晶基板厚度介于50μm～660μm之間。

3.根據權利要求１所述的異質接面太陽能電池，其特征在于，該硅晶基板的照光側具有粗紋化表面。

4.根據權利要求１所述的異質接面太陽能電池，其特征在于，該透明導電層選自銦錫氧化物、二氧化錫、氧化鋁鋅及氧化鋅中之一。

5.根據權利要求１所述的異質接面太陽能電池，其特征在于，該含有電性摻雜的非晶硅薄膜的電性摻雜元素與該硅晶基板表面區域的摻雜元素相同，而與該硅晶基板的摻雜元素不同。

6.根據權利要求１所述的異質接面太陽能電池，其特征在于，該含有電性摻雜的非晶硅薄膜的電性摻雜元素與該硅晶基板表面區域的摻雜元素相同，并與該硅晶基板原始的摻雜元素亦相同，且該非晶硅薄膜摻雜濃度大于該硅晶基板原始摻雜濃度。

7.根據權利要求１所述的異質接面太陽能電池，其特征在于，該硅晶基板照光側表面的非晶硅薄膜下具有一層氧化鋁薄膜，且其厚度不超過10nm。

8.根據權利要求１所述的異質接面太陽能電池，其特征在于，該透明導電層在該背電極燒結完成后再鍍制形成。

9.一種異質接面太陽能電池，其特征在于至少包括：

一含有電性摻雜的硅晶基板，于其照光側及背光側表面分別具有一硅晶基板表面區域及一背表面場區域，且該硅晶基板原始摻雜濃度小于10¹⁹cm^-3；

一層二氧化硅薄膜，覆蓋在該硅晶基板照光側表面的硅晶基板表面區域上；

一本質非晶硅薄膜，覆蓋在該硅晶基板照光側表面的二氧化硅薄膜上，其電子能隙大于該硅晶基板電子能隙，且與該硅晶基板表面區域及該二氧化硅薄膜構成一擴散區域；該本質非晶硅薄膜經電性摻雜擴散后形成含有電性摻雜的非晶硅薄膜，而該非晶硅薄膜與該硅晶基板表面區域之間形成異質接面，該硅晶基板的照光側與該硅晶基板表面區域之間形成同質接面；

一透明導電層，覆蓋在該硅晶基板照光側表面的非晶硅薄膜上；

一前電極，具有線條形態，覆蓋在該透明導電層上；

一背電極，覆蓋在該硅晶基板背光側表面的背表面場區域上；以及

其中，上述該非晶硅薄膜與該硅晶基板表面區域之間形成的異質接面，以及該硅晶基板照光側與該硅晶基板表面區域之間形成的同質接面由一次電性摻雜擴散形成。

10.根據權利要求9所述的異質接面太陽能電池，其特征在于，該硅晶基板厚度介于50μm～660μm之間。

11.根據權利要求9所述的異質接面太陽能電池，其特征在于，該硅晶基板的照光側具有粗紋化表面。

12.根據權利要求9所述的異質接面太陽能電池，其特征在于，該透明導電層選自銦錫氧化物、二氧化錫、氧化鋁鋅及氧化鋅中之一。

13.根據權利要求9所述的異質接面太陽能電池，其特征在于，該含有電性摻雜的非晶硅薄膜的電性摻雜元素與該硅晶基板表面區域的摻雜元素相同，而與該硅晶基板的摻雜元素不同。