[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110212741.2
• 申請日: 2011-07-19
• 公開（公告）號: CN102386231A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 寺島知秀
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/739;H01L29/10;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;王忠忠

1.一種半導(dǎo)體裝置，其中包括：

具有主表面的半導(dǎo)體襯底；

電介質(zhì)部，其以與所述半導(dǎo)體襯底的主表面接觸的方式形成，并且具有第一厚度及厚于所述第一厚度的第二厚度；

具有第一雜質(zhì)濃度的第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域，其以與所述電介質(zhì)部接觸的方式形成；

第一導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域，其在位于所述半導(dǎo)體區(qū)域之內(nèi)具有所述第一厚度的所述電介質(zhì)部的部分的正上方的第一區(qū)域中，從所述半導(dǎo)體區(qū)域的表面遍及第一深度而形成；

第二導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)區(qū)域，其在所述第一區(qū)域中，以從側(cè)方和下方包圍所述第一雜質(zhì)區(qū)域的方式，從所述半導(dǎo)體區(qū)域的表面遍及深于所述第一深度的第二深度而形成；

柵電極部，其在由所述第一雜質(zhì)區(qū)域和所述半導(dǎo)體區(qū)域夾住的所述第二雜質(zhì)區(qū)域的部分的表面上，隔著柵極絕緣膜而形成；

具有第二雜質(zhì)濃度的第二導(dǎo)電型的第三雜質(zhì)區(qū)域，其在與所述第二雜質(zhì)區(qū)域隔著距離的、位于所述半導(dǎo)體區(qū)域之內(nèi)具有所述第二厚度的所述電介質(zhì)部的部分的正上方的第二區(qū)域中，從所述半導(dǎo)體區(qū)域的表面遍及第三深度而形成；以及

含有導(dǎo)電性區(qū)域的耗盡層阻止部，其在所述第二區(qū)域中的既定位置，以從所述半導(dǎo)體區(qū)域的表面到達(dá)所述電介質(zhì)部的方式形成。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述耗盡層阻止部形成為以下兩種配置中的任一個配置：

第一配置，相對所述第三雜質(zhì)區(qū)域，配置在所述第二雜質(zhì)區(qū)域所位于的一側(cè)的相反一側(cè)；以及

第二配置，以與連接所述第二雜質(zhì)區(qū)域和所述第三雜質(zhì)區(qū)域的方向交叉的方向、從一側(cè)和另一側(cè)夾住所述第三雜質(zhì)區(qū)域的方式配置。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述耗盡層阻止部，由第一導(dǎo)電型的第四雜質(zhì)區(qū)域形成，具有高于所述第一雜質(zhì)濃度的第三雜質(zhì)濃度。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述耗盡層阻止部，與所述半導(dǎo)體區(qū)域電氣絕緣，由與所述第三雜質(zhì)區(qū)域電氣連接的導(dǎo)體部形成。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述耗盡層阻止部由絕緣體部和第一導(dǎo)電型的第四雜質(zhì)區(qū)域形成，

該絕緣體部形成為貫通所述半導(dǎo)體區(qū)域，從所述半導(dǎo)體區(qū)域的表面到達(dá)所述電介質(zhì)部，

該第一導(dǎo)電型的第四雜質(zhì)區(qū)域，形成于包圍所述絕緣體部的所述半導(dǎo)體區(qū)域的部分，具有高于所述第一雜質(zhì)濃度的第三雜質(zhì)濃度。

6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述耗盡層阻止部以成為第一配置的方式形成，

具有第一導(dǎo)電型的第五雜質(zhì)區(qū)域，所述第一導(dǎo)電型的第五雜質(zhì)區(qū)域以從側(cè)方和下方包圍所述第三雜質(zhì)區(qū)域的方式，從所述半導(dǎo)體區(qū)域的表面遍及深于所述第三深度的第四深度而形成。

7.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述耗盡層阻止部以成為第一配置的方式形成，

在所述第二區(qū)域中的、相對所述第三雜質(zhì)區(qū)域在所述第二雜質(zhì)區(qū)域所位于的一側(cè)，包括具有高于所述第一雜質(zhì)濃度的第四雜質(zhì)濃度的第一導(dǎo)電型的第六雜質(zhì)區(qū)域，該第一導(dǎo)電型的第六雜質(zhì)區(qū)域從所述半導(dǎo)體區(qū)域的表面遍及既定深度而形成，并且與所述第三雜質(zhì)區(qū)域電氣連接。

8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述耗盡層阻止部以成為第一配置的方式形成，

在所述第二區(qū)域中的、相對所述第三雜質(zhì)區(qū)域在所述第二雜質(zhì)區(qū)域所位于的一側(cè)的相反一側(cè)，包括具有高于所述第一雜質(zhì)濃度的第四雜質(zhì)濃度的第一導(dǎo)電型的第六雜質(zhì)區(qū)域，該第一導(dǎo)電型的第六雜質(zhì)區(qū)域從所述半導(dǎo)體區(qū)域的表面遍及既定深度而形成，并且與所述第三雜質(zhì)區(qū)域電氣連接。

9.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述耗盡層阻止部以成為第一配置的方式形成，

在所述第二區(qū)域中，包括具有高于所述第一雜質(zhì)濃度的第三雜質(zhì)濃度的第一導(dǎo)電型的多個第六雜質(zhì)區(qū)域，并且包括多個所述第三雜質(zhì)區(qū)域，所述第一導(dǎo)電型的多個第六雜質(zhì)區(qū)域從所述半導(dǎo)體區(qū)域的表面遍及既定深度而形成，并且與所述第三雜質(zhì)區(qū)域電氣連接，

多個所述第三雜質(zhì)區(qū)域和多個所述第六雜質(zhì)區(qū)域，沿與連接所述第二雜質(zhì)區(qū)域和所述第三雜質(zhì)區(qū)域的方向交叉的方向交替形成。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在所述第二區(qū)域中，包括具有低于所述第二雜質(zhì)濃度的第五雜質(zhì)濃度的第二導(dǎo)電型的第七雜質(zhì)區(qū)域，所述第二導(dǎo)電型的第七雜質(zhì)區(qū)域，以從側(cè)方和下方包圍所述第三雜質(zhì)區(qū)域及所述第六雜質(zhì)區(qū)域的方式形成。