[發明專利]倒裝芯片型半導體背面用膜、半導體背面用條狀膜的生產方法和倒裝芯片型半導體器件

有效

• 申請號: 201110212301.7
• 申請日: 2011-07-27
• 公開（公告）號: CN102382585A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 志賀豪士;高本尚英;淺井文輝
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;H01L23/29
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術領域

本發明涉及倒裝芯片型半導體背面用膜。此外，本發明還涉及使用倒裝芯片型半導體背面用膜生產半導體背面用條狀膜的方法和倒裝芯片安裝的半導體器件。?

背景技術

近年來，日益要求半導體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此，作為半導體器件及其封裝，已經廣泛地利用其中借助于倒裝芯片接合將半導體元件例如半導體芯片安裝(倒裝芯片連接)于基板上的倒裝芯片型半導體器件。在此類倒裝芯片連接中，將半導體芯片以該半導體芯片的電路面與基板的電極形成面相對的形式固定至基板。在此類半導體器件等中，可能存在半導體芯片的背面用保護膜保護以防止半導體芯片損壞等的情況(參見，專利文獻1至10)。?

專利文獻1：JP-A-2008-166451?

專利文獻2：JP-A-2008-006386?

專利文獻3：JP-A-2007-261035?

專利文獻4：JP-A-2007-250970?

專利文獻5：JP-A-2007-158026?

專利文獻6：JP-A-2004-221169?

專利文獻7：JP-A-2004-214288?

專利文獻8：JP-A-2004-142430?

專利文獻9：JP-A-2004-072108?

專利文獻10：JP-A-2004-063551?

本發明人對將膜粘帖至半導體芯片背面的方法進行了研究。結果，他們發明了一種方法，包括：(1)將倒裝芯片型半導體背面用膜切斷成根據半導體元件(即，半導體芯片)背面寬度的預定寬度，以形成半導體背面用條狀膜，(2)進一步根據半導體元件的背面形狀切斷半導體背面用條狀膜，和(3)粘貼所述切斷的倒裝芯片型半導體背面用膜(半導體背面用條狀膜)至半導體元件的背面。然而，當采用該方法時出現了如下新的問題，切斷的倒裝芯片型半導體背面用膜的切斷精度在一些情況下較低，因此，該膜不能以良好的精確度粘貼到半導體元件的背面，并且在切斷表面上產生裂紋(cracking)和缺口(chipping)。?

發明內容

本發明是考慮到前述問題而做出的，其目的是提供一種倒裝芯片型半導體背面用膜，其能夠保持倒裝芯片型半導體背面用膜的高切斷精度，并抑制或防止裂紋和缺口。?

為了解決前述相關的技術問題，本發明人進行了廣泛和深入的研究。結果發現，當倒裝芯片型半導體背面用膜在熱固化前在23℃下的伸長率以A(％)表示，和倒裝芯片型半導體背面用膜在熱固化前在23℃下的拉伸貯能模量以B(GPa)表示時，該倒裝芯片型半導體背面用膜可以切斷成具有優異寬度精確度的預定寬度，并且通過控制比率A/B在預定范圍內可以抑制或防止裂紋和缺口。?

即，本發明涉及形成于倒裝芯片連接至被粘物的半導體元件的背面的倒裝芯片型半導體背面用膜，所述倒裝芯片型半導體背面用膜具有在1至8×10³(％/GPa)的范圍內的比率A/B，其中A是倒裝芯片型半導體背面用膜在熱固化前在23℃下的伸長率(％)，和B是倒裝芯片型半導體背面用膜在熱固化前在23℃下的?拉伸貯能模量(GPa)。?

在倒裝芯片型半導體背面用膜中，為了在半導體生產步驟中加強芯片，需要至少一定程度的硬度，即至少一定程度的拉伸貯能模量。此類具有高拉伸貯能模量的膜通常難以伸展。然而，在將倒裝芯片型半導體背面用膜切斷成預定寬度的情況下，必須切斷該膜而在切斷中在切斷表面上不產生裂紋或缺口，且具有優異的寬度精確度，因此要求該膜具有一定程度的伸展性。?

根據前述構成，當倒裝芯片型半導體背面用膜在熱固化前在23℃下的伸長率以A(％)表示和倒裝芯片型半導體背面用膜在熱固化前在23℃下的拉伸貯能模量以B(GPa)表示時，比率A/B落入1至8×10³(％/GPa)的范圍內。由于比率A/B為1至8×10³，該倒裝芯片型半導體背面用膜具有一定程度的硬度和具有一定程度的伸展性。因而在切斷時，可以將膜切斷成具有優異寬度精確度的預定寬度。此外在切斷時，可以抑制在切斷表面上產生的裂紋和缺口。如上，由于本發明的倒裝芯片型半導體背面用膜可以根據半導體元件背面的形狀以良好的精確度切斷，該膜可以良好的精確度粘貼到半導體元件的背面，以及導致切斷面上的裂紋和缺口的雜質粒子污染的影響可以在很大程度上降低。?