[發明專利]倒裝芯片型半導體背面用膜、半導體背面用條狀膜的生產方法和倒裝芯片型半導體器件有效
| 申請號： | 201110212301.7 | 申請日： | 2011-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN102382585A | 公開（公告）日： | 2012-03-21 |
| 發明（設計）人： | 志賀豪士;高本尚英;淺井文輝 | 申請（專利權）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | C09J7/02 | 分類號： | C09J7/02;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 倒裝 芯片 半導體 背面 條狀 生產 方法 半導體器件 | ||
1.一種倒裝芯片型半導體背面用膜，其要形成于倒裝芯片連接至被粘物上的半導體元件的背面，
所述倒裝芯片型半導體背面用膜具有在1至8×103(％/GPa)的范圍內的比率A/B，其中A是所述倒裝芯片型半導體背面用膜在熱固化前在23℃下的伸長率(％)，和B是所述倒裝芯片型半導體背面用膜在熱固化前在23℃下的拉伸貯能模量(GPa)。
2.根據權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用膜，其中所述拉伸貯能模量在0.01至4.0GPa的范圍內。
3.根據權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用膜，
其中所述倒裝芯片型半導體背面用膜含有環氧樹脂和酚醛樹脂，
其中基于所述倒裝芯片型半導體背面用膜的總樹脂組分，所述環氧樹脂和所述酚醛樹脂的總量在5重量％至90重量％的范圍內，和
其中所述環氧樹脂和所述酚醛樹脂各自具有25℃以下的熔點。
4.根據權利要求2所述的倒裝芯片型半導體背面用膜，
其中所述倒裝芯片型半導體背面用膜含有環氧樹脂和酚醛樹脂，
其中基于所述倒裝芯片型半導體背面用膜的總樹脂組分，所述環氧樹脂和所述酚醛樹脂的總量在5重量％至90重量％的范圍內，和
其中所述環氧樹脂和所述酚醛樹脂各自具有25℃以下的熔點。
5.一種半導體背面用條狀膜的生產方法，所述方法包括將根據權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用膜切斷成預定的寬度，以獲得半導體背面用條狀膜。
6.根據權利要求5所述的半導體背面用條狀膜的生產方法，其中所述拉伸貯能模量在0.01至4.0GPa的范圍內。
7.根據權利要求5所述的半導體背面用條狀膜的生產方法，
其中所述倒裝芯片型半導體背面用膜含有環氧樹脂和酚醛樹脂，
其中基于所述倒裝芯片型半導體背面用膜的總樹脂組分，所述環氧樹脂和所述酚醛樹脂的總量在5重量％至90重量％的范圍內，和
其中所述環氧樹脂和所述酚醛樹脂各自具有25℃以下的熔點。
8.根據權利要求6所述的半導體背面用條狀膜的生產方法，
其中所述倒裝芯片型半導體背面用膜含有環氧樹脂和酚醛樹脂，
其中基于所述倒裝芯片型半導體背面用膜的總樹脂組分，所述環氧樹脂和所述酚醛樹脂的總量在5重量％至90重量％的范圍內，和
其中所述環氧樹脂和所述酚醛樹脂各自具有25℃以下的熔點。
9.一種倒裝芯片型半導體器件，其使用由根據權利要求5至8任一項所述的半導體背面用條狀膜的生產方法生產的半導體背面用條狀膜制得。
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