[發(fā)明專利]單層電容器晶界層材料、基片的制作方法、以及單層電容器的方法

有效

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• 申請日: 2011-07-27
• 公開（公告）號: CN102320827A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發(fā)明（設計）人: 吳浩;楊成銳
• 申請（專利權）人: 吳浩
• 主分類號: C04B35/47
• 分類號: C04B35/47;C04B35/622;H01G4/00;H01G4/10
• 代理公司: 廣東國暉律師事務所 44266
• 代理人: 陳琳

【技術領域】

本發(fā)明涉及單層電容器領域，尤其涉及單層電容器晶界層材料，用該晶界層材料制作基片的方法，以及用該基片制作單層電容器的方法。

【背景技術】

單層電容器具有高頻化，微型化，集成化，低功耗和高可靠性的特點，其介電常數(shù)高，溫度特征和微波頻率特征優(yōu)良，適合于微組裝工藝，廣泛應用于微波器件、射頻器件及LED等電子裝置上，現(xiàn)有技術中的單層電容器為了獲得高的介電常數(shù)，晶界層單層電容器瓷體的晶粒必須在30微米以上，這樣就導致在高溫潮濕的環(huán)境下，水汽容易吸附在晶界層單層電容器的側壁晶界上，導致電容器的絕緣電阻下降；另一方面，如果晶界層電容器瓷體晶粒不均勻，在產(chǎn)品的切割過程中，在側壁會產(chǎn)生微裂紋，從而，這些微裂紋在高溫潮濕的環(huán)境下，也會吸附水汽，導致電容器的絕緣電阻嚴重下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明要解決的技術問題是，針對現(xiàn)有技術的不足，提供一種單層電容器晶界層材料，用該材料制作的電容器性能優(yōu)良，解決了單層電容器在高溫潮濕的環(huán)境下絕緣電阻下降的問題。

本發(fā)明另一個要解決的問題是，針對現(xiàn)有技術的不足，提供一種單層電容器晶界層基片的制作方法，該方法工藝簡單，制作的電容器性能良好。

本發(fā)明的再一個要解決的技術問題是，針對現(xiàn)有技術的不足，而提供一種采用晶界層材料制作的基片來制作單層電容器的方法，該方法制作的電容器在高溫潮濕的環(huán)境下絕緣電阻仍然優(yōu)良。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明采用以下技術方案：

提供一種單層電容器晶界層材料，其中：該材料配方的重量比為：

TiO₂??????60-65％

SrCO₃?????33-39％

La₂O₃?????0.2-2.5％。

提供一種氧化劑材料，其中：該材料配方的重量比為：

上述晶界層材料的優(yōu)選方案是：所述的材料配方中還包括添加劑，所述的添加劑是Ta₂O₃、Nb₂O₃、Al₂O₃、SiO₂、MnCO₃或CuO中的一種或兩種以上組成。

上述晶界層材料的優(yōu)選方案是：所述的添加劑的重量比為材料配方的0.1-1.5％。

上述晶界層材料的優(yōu)選方案是：所述的材料配方重量比為：

本發(fā)明還提供一種單層電容器用基片的制作方法，其中：包括下列步驟：

(1)將權利要求1的材料按重量百分比配好料，加入去離子水進行混合10-20小時，然后烘干，粉碎；

(2)將粉碎好的材料在1200℃～1300℃下煅燒2～3小時，然后粉碎過篩；

(3)將上述過篩后的材料加入添加劑，該添加劑占總重量的0.1-1.5％，混合10-20小時后進行流延成膜；

(4)將上述的膜片在空氣中500℃～1200℃下排膠10-40小時；然后在7％-15％氫含量的氫氮混合氣中，1400℃～1450℃下還原2～3小時；最后在燒結片上涂覆氧化劑，在空氣氣氛中750-1200℃下氧化20-180分鐘，得到燒結后的單層電容器用基片。

上述方法所述的(3)步驟中，還加入了酒精、甲苯、分散劑、粘合劑和鋯球進行混合。

上述方法的(4)步驟中，所述的氧化劑材料配方重量比為：

上述方法中，氧化劑的優(yōu)選方案為：

上述方法的優(yōu)選方案是：所述的添加劑是Ta₂O₃、Nb₂O₃、Al₂O₃、SiO₂、MnCO₃或CuO中的一種或兩種以上組成。

上述方法的優(yōu)選方案是：所述的(2)步驟中的煅燒溫度和時間分別為1250℃3小時，(4)步驟中的排膠時間和溫度為1100℃/3小時，還原溫度時間為1400℃/3小時，氧化溫度時間為1000℃/1小時。

本發(fā)明還提供一種基片制作的單層電容器的方法，其中：包括以下步驟：

(1)將權利要求6的基片進行清洗和濺射鈦鎢、鎳、金，然后電鍍金，得到金屬化基片；