[發明專利]單層電容器晶界層材料、基片的制作方法、以及單層電容器的方法

有效

• 申請號: 201110211472.8
• 申請日: 2011-07-27
• 公開（公告）號: CN102320827A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發明（設計）人: 吳浩;楊成銳
• 申請（專利權）人: 吳浩
• 主分類號: C04B35/47
• 分類號: C04B35/47;C04B35/622;H01G4/00;H01G4/10
• 代理公司: 廣東國暉律師事務所 44266
• 代理人: 陳琳

1.一種單層電容器晶界層材料，其特征在于：該材料配方的重量比為：

TiO₂???????60-65％

SrCO₃??????33-39％

La₂O₃??????0.2-2.5％。

2.根據權利要求1所述的單層電容器晶界層材料，其特征在于：所述的材料配方中還包括添加劑，所述的添加劑是Ta₂O₃、Nb₂O₃、Al₂O₃、SiO₂、MnCO₃或CuO中的一種或兩種以上組成。

3.根據權利要求2所述的單層電容器晶界層材料，其特征在于：所述的添加劑的重量比為材料配方的0.1-1.5％。

4.根據權利要求1-3任一所述的單層電容器晶界層材料，其特征在于：所述的材料配方重量比為：

5.一種單層電容器用基片的制作方法，其特征在于：包括下列步驟：

(1)將權利要求1的材料按重量百分比配好料，加入去離子水進行混合10-20小時，然后烘干，粉碎；

(2)將粉碎好的材料在1200℃～1300℃下煅燒2～3小時，然后粉碎過篩；

(3)將上述過篩后的材料加入添加劑，該添加劑占總重量的0.1-1.5％，混合10-20小時后進行流延成膜；

(4)將上述的膜片在空氣中500℃～1200℃下排膠10-40小時；然后在7％-15％氫含量的氫氮混合氣中，1400℃～1450℃下還原2～3小時；最后在燒結片上涂覆氧化劑，在空氣氣氛中750-1200℃下氧化20-180分鐘，得到燒結后的單層電容器用基片。

6.根據權利要求5所述的單層電容器用基片的制作方法，其特征在于：所述的(4)步驟中，氧化劑的重量比為：

7.根據權利要求5或6所述的單層電容器用基片的制作方法，其特征在于：所述的添加劑是Ta₂O₃、Nb₂O₃、Al₂O₃、SiO₂、MnCO₃或CuO中的一種或兩種以上組成。

8.根據權利要求6所述的單層電容器用基片的制作方法，其特征在于：所述的氧化劑量的重量比為：

9.一種采用權利要求5的基片制作的單層電容器的方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)將權利要求5的基片進行清洗和濺射鈦鎢、鎳、金，然后電鍍金，得到金屬化基片；

(2)將上述金屬化基片進行切割，得到所需要大小的小基片；

(3)將切割好的小基片用離心機甩干，然后放入烘箱中在150℃～250℃的溫度下進行固化處理，得到單層電容器。

10.根據權利要求9所述制作的單層電容器的方法，其特征在于：所述的(3)步驟中，所述切割好的小基片在環氧樹脂溶液中浸泡10-30分鐘后，再用離心機甩干，所述的固化處理的溫度為200℃。