[發明專利]一種碳化硅微粉提純工藝無效
| 申請號: | 201110210841.1 | 申請日: | 2011-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN102328929A | 公開(公告)日: | 2012-01-25 |
| 發明(設計)人: | 周彬 | 申請(專利權)人: | 周彬 |
| 主分類號: | C01B31/36 | 分類號: | C01B31/36 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 225327 江蘇省泰州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 碳化硅 提純 工藝 | ||
1.一種碳化硅微粉提純工藝,其特征是它包括以下步驟:
步驟一,在帶有濾網的反應釜中投入碳化硅粗品微粉、水和煤油,然后在常溫下進行攪拌一段時間除去游離碳;
步驟二,向反應釜中投入98%濃硫酸,升溫并保溫一段時間,保溫結束后,在常溫下加入氫氟酸并攪拌反應一段時間,然后用離心機離心,最后用水進行漂洗,得到濕品碳化硅;
步驟三,對濕品碳化硅進行烘干,最后得到碳化硅干品。
2.根據權利要求1所述的一種碳化硅微粉提純工藝,其特征是所述步驟一中碳化硅微粉與水與煤油的質量比為1∶1∶0.001,所述濾網為200目的不銹鋼濾網。
3.根據權利要求1所述的一種碳化硅微粉提純工藝,其特征是所述步驟二中碳化硅微粉與濃硫酸與氫氟酸的質量比為1∶0.03∶0.02,加入濃硫酸后升溫至60℃并保溫4小時,加入氫氟酸后攪拌反應2小時。
4.根據權利要求1所述的一種碳化硅微粉提純工藝,其特征是所述步驟三中采用閃蒸烘干設備進行烘干,進風口溫度為250℃,出料口溫度120℃。
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