[發(fā)明專利]一種碳化硅微粉提純工藝無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110210841.1 | 申請(qǐng)日: | 2011-07-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102328929A | 公開(公告)日: | 2012-01-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周彬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 周彬 |
| 主分類號(hào): | C01B31/36 | 分類號(hào): | C01B31/36 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 225327 江蘇省泰州*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 碳化硅 提純 工藝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種碳化硅微粉提純工藝。
背景技術(shù)
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、氯化鈉為原料通過電阻爐高溫冶煉而成。其中石英砂是天然產(chǎn)物,石油焦是石油提煉中的一種副產(chǎn)物,都含有大量的雜質(zhì),所以冶煉出來的碳化硅中含有大量的雜質(zhì),主要成分有游離碳、硅及二氧化硅、鐵及氧化鐵。單晶硅切片用的碳化硅微粉使用要求很高,質(zhì)量指標(biāo)為:碳化硅含量≥98.5%、游離碳≤0.5%、鐵及氧化鐵≤0.5%、硅及二氧化硅≤1%。單晶硅切片過程中,碳化硅中的游離碳、硅及二氧化硅、鐵及氧化鐵會(huì)對(duì)單晶硅片產(chǎn)生斑點(diǎn)、花印,嚴(yán)重影響單晶硅片質(zhì)量。通過此工藝處理碳化硅,可以使碳化硅達(dá)到使用標(biāo)準(zhǔn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種碳化硅微粉提純工藝,生產(chǎn)出適合單晶硅切片使用要求的碳化硅微粉,適合工業(yè)規(guī)模生產(chǎn),同時(shí)有利于生產(chǎn)的循環(huán)發(fā)展,節(jié)約成本,并且降低工業(yè)廢棄物對(duì)環(huán)境造成的污染。
本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案:一種碳化硅微粉提純工藝,它包括以下步驟:步驟一,在帶有濾網(wǎng)的反應(yīng)釜中投入碳化硅粗品微粉、水和煤油,然后在常溫下進(jìn)行攪拌一段時(shí)間除去游離碳;步驟二,向反應(yīng)釜中投入98%濃硫酸,升溫并保溫一段時(shí)間,保溫結(jié)束后,在常溫下加入氫氟酸并攪拌反應(yīng)一段時(shí)間,然后用離心機(jī)離心,最后用水進(jìn)行漂洗,得到濕品碳化硅;步驟三,對(duì)濕品碳化硅進(jìn)行烘干,最后得到碳化硅干品。
所述步驟一中碳化硅微粉與水與煤油的質(zhì)量比為1∶1∶0.001,所述濾網(wǎng)為200目的不銹鋼濾網(wǎng);所述步驟二中碳化硅微粉與濃硫酸與氫氟酸的質(zhì)量比為1∶0.03∶0.02,加入濃硫酸后升溫至60℃并保溫4小時(shí),加入氫氟酸后攪拌反應(yīng)2小時(shí);所述步驟三中采用閃蒸烘干設(shè)備進(jìn)行烘干,進(jìn)風(fēng)口溫度為250℃,出料口溫度120℃。
本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明提供的碳化硅微粉提純工藝,生產(chǎn)出適合單晶硅切片使用要求的碳化硅微粉,適合工業(yè)規(guī)模生產(chǎn),同時(shí)有利于生產(chǎn)的循環(huán)發(fā)展,節(jié)約成本,并且降低工業(yè)廢棄物對(duì)環(huán)境造成的污染。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供了一種碳化硅微粉提純工藝,它包括以下步驟:步驟一,在帶有濾網(wǎng)的反應(yīng)釜中投入碳化硅粗品微粉、水和煤油,碳化硅微粉與水與煤油的質(zhì)量比為1∶1∶0.001,所述濾網(wǎng)為200目的不銹鋼濾網(wǎng),然后在常溫下進(jìn)行攪拌一段時(shí)間除去游離碳;步驟二,向反應(yīng)釜中投入98%濃硫酸,升溫至60℃并保溫4小時(shí),保溫結(jié)束后,在常溫下加入氫氟酸并攪拌反應(yīng)2小時(shí),碳化硅微粉與濃硫酸與氫氟酸的質(zhì)量比為1∶0.03∶0.02,然后用離心機(jī)離心,最后用水進(jìn)行漂洗,得到濕品碳化硅;步驟三,對(duì)濕品碳化硅進(jìn)行烘干,最后得到碳化硅干品,所述步驟三中采用閃蒸烘干設(shè)備進(jìn)行烘干,進(jìn)風(fēng)口溫度為250℃,出料口溫度120℃。
實(shí)施例
原料碳化硅微粉粗品1000kg,含雜質(zhì):游離碳1.1%、鐵及氧化鐵1.7%、硅及二氧化硅2.2%。
1、除游離碳,在3000L不銹鋼帶夾套反應(yīng)釜中投入1000kg碳化硅粗品微粉和水1000kg和1kg煤油,常溫下進(jìn)行攪拌。在液面位置安裝200目不銹鋼濾網(wǎng),煤油與水的密度不同,可以使游離碳浮在液面的表面,在攪拌條件下,游離碳被過濾在200目濾網(wǎng)上。撈碳2小時(shí)后,液面基本沒有黑色游離碳。
2、除鐵及氧化鐵、硅及二氧化硅,在該反應(yīng)釜中繼續(xù)投入30kg98%濃硫酸,升溫至60℃,并保溫4小時(shí),保溫結(jié)束后,再降溫至室溫,加入氫氟酸20kg,攪拌反應(yīng)2小時(shí),離心機(jī)離心,并用30kg水漂洗,得濕品碳化硅1025kg。
3、閃蒸烘干及除灰塵,閃蒸烘干設(shè)備利用導(dǎo)熱油加熱鼓風(fēng)機(jī)吹進(jìn)的空氣,進(jìn)風(fēng)口溫度升溫至250℃,將純碳化硅濕品1025kg分批投入閃蒸機(jī),出料口溫度120℃,得到碳化硅干品948kg。
取樣品檢測(cè):碳化硅含量99.28%、游離碳含量0.21%、鐵及氧化鐵含量0.16%、硅及二氧化硅含量0.35%,滿足單晶硅切片使用標(biāo)準(zhǔn)。
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