[發(fā)明專利]磁盤用玻璃基板及其制造方法、磁盤

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110209388.2
• 申請(qǐng)日: 2008-09-26
• 公開（公告）號(hào): CN102290056A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 越阪部基延;磯野英樹;巖田勝行;江田伸二;寺田研一郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: HOYA株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B5/84
• 分類號(hào): G11B5/84;C03C21/00;C03C3/095
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 李帆

本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2008的9月26日，申請(qǐng)?zhí)枮?00880022948.X，發(fā)明名稱為磁盤用玻璃基板及其制造方法、磁盤的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種安裝于硬盤驅(qū)動(dòng)裝置中的磁盤用的玻璃基板及其制造方法。

背景技術(shù)

作為安裝于硬盤驅(qū)動(dòng)裝置(HDD)中的磁記錄介質(zhì)有磁盤。磁盤是在由鋁-鎂合金等構(gòu)成的金屬基板上被覆NiP膜，或是在玻璃基板及陶瓷基板上層疊磁性層及保護(hù)層而制作的。目前，作為磁盤用的基板廣泛采用鋁合金基板，但是，隨著近年來(lái)磁盤的小型化、薄片化、高密度記錄化，表面的平整度及薄片的強(qiáng)度比鋁合金基板更為優(yōu)良的玻璃基板正得到廣泛使用(特開平9-27150號(hào)公報(bào))。

近年來(lái)，在安裝于HDD裝置中的磁盤方面，今后要求進(jìn)一步擴(kuò)大記錄容量，HDD裝置的信息的記錄速度及讀出速度更快。而且，為了滿足這些要求，正在尋求使磁盤更高速地轉(zhuǎn)動(dòng)。

但是，在HDD裝置中，當(dāng)磁盤高速旋轉(zhuǎn)時(shí)，由于對(duì)磁盤施加大的負(fù)荷，因而要求磁盤有高的強(qiáng)度(耐沖擊性)。另外，近年來(lái)，由于HDD裝置例如正在用于筆記本電腦、手機(jī)、便攜式音樂(lè)播放器等便攜設(shè)備，因而在便攜設(shè)備掉落的情況下，要求磁盤有不至于損壞的耐沖擊性。這樣，就要求磁盤(磁盤用基板)滿足比現(xiàn)在要求的耐沖擊性更高的耐沖擊性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于這樣的問(wèn)題而完成的，其目的在于，提供一種滿足比現(xiàn)在所要求的耐沖擊性更高的耐沖擊性的磁盤用玻璃基板及其制造方法。

本發(fā)明的磁盤用玻璃基板，具有主表面及端面，為實(shí)施了化學(xué)強(qiáng)化處理的圓盤狀的磁盤用玻璃基板，其特征在于，所述主表面的最表面部應(yīng)力層壓入長(zhǎng)度為49.1μm以下，在巴比涅補(bǔ)償器法的應(yīng)力曲線圖中，在將所述主表面和壓縮應(yīng)力之間所形成的角設(shè)為θ時(shí)，{12·t·ln(tanθ)+(49.1/t)}的值y為所述最表面部應(yīng)力層壓入長(zhǎng)度以下。

在此，所述最表面部應(yīng)力層壓入長(zhǎng)度為用100g的壓緊力將對(duì)棱角為172°30′和130°的橫截面是菱形的金剛石四角錐壓頭壓入所述主表面時(shí)的壓痕的長(zhǎng)的一方的對(duì)角線的長(zhǎng)度，所述tanθ為根據(jù)利用巴比涅補(bǔ)償器法求出的應(yīng)力值及應(yīng)力深度求得的值{(P₁+P₂)/(L₁+L₂)}，所述t為基板厚度。

P₁為壓縮應(yīng)力值，P₂為拉伸應(yīng)力值，L₁為壓縮應(yīng)力深度，L₂為拉伸應(yīng)力深度。

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于表層部(距基板表面約1.5μm左右的深度)的壓縮應(yīng)力高、基板內(nèi)部的深度方向的應(yīng)力值(壓縮應(yīng)力、拉伸應(yīng)力)的變化率小，因而可滿足比現(xiàn)在所要求的耐沖擊性更高的耐沖擊性(例如在千分之一秒內(nèi)承受加速度1500G～2000G)。

在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板中，優(yōu)選所述y值為{16·t·ln(tanθ)+(49.1/t)}。

在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板中，優(yōu)選構(gòu)成所述磁盤用玻璃基板的玻璃為含有Zr的鋁硅酸鹽玻璃。

在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板中，優(yōu)選用原子力顯微鏡測(cè)定的所述主表面的表面粗糙度Ra為0.3nm以下。

在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板中，優(yōu)選在所述磁盤用玻璃基板的圓周方向按測(cè)定長(zhǎng)度0.8mm計(jì)，所述端面的表面粗糙度Ra為0.2μm以下。

在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板中，優(yōu)選壓縮應(yīng)力深度為50μm以上。

本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法，是包括對(duì)玻璃基板實(shí)施了化學(xué)強(qiáng)化處理的工序的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，在充分的條件下進(jìn)行所述化學(xué)強(qiáng)化處理，使在所述磁盤用玻璃基板的主表面的最表面部應(yīng)力層壓入長(zhǎng)度為49.1μm以下，且在巴比涅補(bǔ)償器法的應(yīng)力曲線圖中將所述主表面和壓縮應(yīng)力之間所形成的角設(shè)為θ時(shí)，{12·t·ln(tanθ)+(49.1/t)}的值y為所述最表面部應(yīng)力層壓入長(zhǎng)度以下。

在此，所述最表面部應(yīng)力層壓入長(zhǎng)度為，用100g的壓緊力將對(duì)棱角為172°30′和130°的橫截面是菱形的金剛石四角錐壓頭壓入所述主表面時(shí)的壓痕的長(zhǎng)的一方的對(duì)角線的長(zhǎng)度，所述tanθ為根據(jù)利用巴比涅補(bǔ)償器法求出的應(yīng)力值及應(yīng)力深度求得的值{(P₁+P₂)/(L₁+L₂)}，所述t為基板厚度；