[發(fā)明專利]磁盤(pán)用玻璃基板及其制造方法、磁盤(pán)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110209388.2
• 申請(qǐng)日: 2008-09-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102290056A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 越阪部基延;磯野英樹(shù);巖田勝行;江田伸二;寺田研一郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: HOYA株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B5/84
• 分類號(hào): G11B5/84;C03C21/00;C03C3/095
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 李帆

1.一種磁盤(pán)用玻璃基板的制造方法，包括化學(xué)強(qiáng)化處理工序，該工序通過(guò)將中心部形成有圓孔的盤(pán)狀玻璃基板浸漬于化學(xué)強(qiáng)化處理液中，使包含于所述玻璃基板表面中的相對(duì)小的離子與包含于化學(xué)強(qiáng)化處理液中的相對(duì)大的離子進(jìn)行離子交換，在該玻璃基板表面生成壓縮應(yīng)力層，其中，以使形成于該盤(pán)狀玻璃基板中心部的所述圓孔的變形量為圓孔直徑的0.05％以內(nèi)、且該盤(pán)狀玻璃基板的抗彎強(qiáng)度達(dá)到98N以上的方式進(jìn)行所述化學(xué)強(qiáng)化處理。

2.一種磁盤(pán)用玻璃基板的制造方法，所述磁盤(pán)用玻璃基板為中心部具有圓孔的環(huán)狀，其中，在對(duì)任意選擇的500片～1000片所述玻璃基板的圓孔直徑進(jìn)行測(cè)定的情況下，以各玻璃基板的圓孔直徑相對(duì)于該玻璃基板的平均圓孔直徑A在±5×10^-4×A的范圍內(nèi)、且各玻璃基板的抗彎強(qiáng)度達(dá)到98N以上的方式進(jìn)行控制。

3.權(quán)利要求2所述的磁盤(pán)用玻璃基板的制造方法，所述磁盤(pán)用玻璃基板為2.5英寸基板，其中，各玻璃基板的圓孔直徑為A±10μm以內(nèi)。

4.一種磁盤(pán)用玻璃基板的制造方法，包括化學(xué)強(qiáng)化處理工序，該工序通過(guò)將中心部形成有圓孔的盤(pán)狀玻璃基板浸漬于化學(xué)強(qiáng)化處理液中，使包含于所述玻璃基板表面中的相對(duì)小的離子與包含于化學(xué)強(qiáng)化處理液中的相對(duì)大的離子進(jìn)行離子交換，而在該玻璃基板表面生成壓縮應(yīng)力層，其中，選擇該盤(pán)狀玻璃基板的玻璃材料和所述化學(xué)強(qiáng)化處理的處理?xiàng)l件進(jìn)行所述化學(xué)強(qiáng)化處理，使形成于該盤(pán)狀玻璃基板中心部的所述圓孔的變形量為圓孔直徑的0.05％以內(nèi)、且該盤(pán)狀玻璃基板的抗彎強(qiáng)度達(dá)到98N以上。

5.一種磁盤(pán)用玻璃基板的制造方法，包括化學(xué)強(qiáng)化處理工序，該工序通過(guò)將中心部形成有圓孔的盤(pán)狀玻璃基板浸漬于化學(xué)強(qiáng)化處理液中，使包含于所述玻璃基板表面中的相對(duì)小的離子與包含于化學(xué)強(qiáng)化處理液中的相對(duì)大的離子進(jìn)行離子交換，而在該玻璃基板表面生成壓縮應(yīng)力層，其中，以對(duì)各玻璃預(yù)先控制形成于該盤(pán)狀玻璃基板中心部的所述圓孔的由化學(xué)強(qiáng)化處理引起的變形量，使變形量為圓孔直徑的0.05％以內(nèi)、且使由化學(xué)強(qiáng)化處理產(chǎn)生的該盤(pán)狀玻璃基板的抗彎強(qiáng)度達(dá)到98N以上的方式選擇玻璃材料，將該選擇的玻璃材料加工成盤(pán)狀，同時(shí)，在中心部形成圓孔，并進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理。

6.權(quán)利要求1、4或5所述的磁盤(pán)用玻璃基板的制造方法，其中，構(gòu)成中心部形成有圓孔的盤(pán)狀玻璃基板的化學(xué)強(qiáng)化用玻璃按質(zhì)量％計(jì)包含：

SiO₂：57～75％、

Al₂O₃：5～20％、

其中，SiO₂和Al₂O₃的合計(jì)量為74％以上，

ZrO₂、HfO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、La₂O₃、Y₂O₃及TiO₂合計(jì)大于0％且在6％以下，

Li₂O：大于1％且在9％以下、

Na₂O：5～18％、

其中，質(zhì)量比Li₂O/Na₂O為0.5以下，

K₂O：0～6％、

MgO：0～4％、

CaO：大于0％且在5％以下、

其中，MgO和CaO的合計(jì)量為5％以下，且CaO的含量高于MgO的含量，

SrO+BaO：0～3％。

7.權(quán)利要求1、4～6中任一項(xiàng)所述的磁盤(pán)用玻璃基板的制造方法，其中，化學(xué)強(qiáng)化處理使用具有60質(zhì)量％～80質(zhì)量％的KNO₃、及40質(zhì)量％～20質(zhì)量％的NaNO₃的組成的化學(xué)強(qiáng)化處理液，且在350℃～420℃的溫度下進(jìn)行，其中，KNO₃和NaNO₃的合計(jì)為100質(zhì)量％。

8.權(quán)利要求1、4～7中任一項(xiàng)所述的磁盤(pán)用玻璃基板的制造方法，其中，化學(xué)強(qiáng)化處理后的盤(pán)狀玻璃基板的壓縮應(yīng)力層的厚度為10μm～150μm。