[發明專利]低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201110209319.1
• 申請日: 2011-07-25
• 公開（公告）號: CN102355199A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 栗星星;趙巖;栗晶晶;葛莉華
• 申請（專利權）人: 無錫里外半導體科技有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F3/189;G06K17/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種低噪聲放大器，包括：

第一輸入端(A)，可用于輸入直流偏置信號；

第一輸入選擇端母端(A1)，可用于輸入射頻信號；

第一輸出端(B)，用于輸出處理后的信號；

第一低通電流鏡(1)，用于處理從所述第一輸入端(A)輸入的直流偏置信號；其第一端是所述第一輸入端(A)，第二端接地；

第一放大電路(2)，用于與所述第一低通電流鏡(1)配合，放大所述第一輸入選擇端母端(A1)輸入的射頻信號；其第一端與所述第一低通電流鏡第三端，并與所述第一輸入選擇端母端(A1)連接，其第二端是第一輸出端(B)；

其特征在于，

所述第一放大電路(2)至少包括第一子放大電路和第二子放大電路，所述第一子放大電路和第二子放大電路的第一端連接并與所述第一輸入選擇端母端(A1)連接，第二端連接并與第一輸出端(B)連接；

還包括，

選擇電路(3)，用于使所述子放大電路適于處理所述第一輸入選擇端母端(A1)輸入的射頻信號；其第一端與所述第一放大電路(2)連接，第二端接地；

所述選擇電路(3)與所述第一放大電路(2)連接的第一端，包括至少兩個子端，所述子端分別與所述第一子放大電路和第二子放大電路的第三端單獨連接。

2.如權利要求1的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一低通電流鏡(1)包括：

第一組第一NMOS管(N1)，具有漏極，連接到所述第一輸入端(A)；具有源極，接地；具有柵極；所述柵極與漏極連接；

第一電阻(R1)，串聯在所述第一NMOS管(N1)的柵極與第一輸入選擇端母端(A1)間；

第一電容(C1)，與所述第一電阻(R1)和所述第一NMOS管(N1)的源極并聯。

3.如權利要求1的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一子放大電路包括：

第一輸入選擇端第二子端(A12)，可用于輸入射頻信號；可與第一輸入選擇端母端(A1)連接；

第一組第三NMOS管(N3)，具有漏極，連接到所述第一輸出端(B)；具有源極，連接到所述選擇電路(3)的第一端的子端；具有柵極，連接到所述第一輸入選擇端第二子端(A12)，同時連接到所述第一低通電流鏡(1)。

4.如權利要求1的低噪聲放大器，其特征在于，所述第二子放大電路包括：

第一輸入選擇端第三子端(A13)，可用于輸入射頻信號；可與第一輸入選擇端母端(A1)連接；

第一組第四NMOS管(N4)，具有漏極，連接到所述第一輸出端(B)；具有源極，連接到所述選擇電路(3)的第一端的子端；具有柵極，連接到所述第一輸入選擇端第三子端(A13)，同時連接到所述第一低通電流鏡(1)。

5.如權利要求1的低噪聲放大器，其特征在于，所述選擇電路(3)是多端口電感，包括：

第一端第一子端(H1)，與所述第三NMOS管(N3)源極連接；

第一端第二子端(H2)，與所述第四NMOS管(N4)源極連接；

第二端(H20)接地。

6.如權利要求1的低噪聲放大器，其特征在于，

所述第一輸入端(A)，可用于輸入射頻信號；

還包括，

第一低頻放大電路(4)，用于與所述第一低通電流鏡(1)配合，放大所述第一輸入端(A)輸入的射頻信號；其第一端與所述第一低通電流鏡(1)連接，第二端接地，第三端是所述第一輸出端(B)。

7.如權利要求6所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一低頻放大電路(4)包括：

第一輸入選擇端第一子端(A11)，可與所述第一輸入選擇端母端(A1)連接；

第一組第二NMOS管(N2)，具有漏極，連接到第一輸出端(B)；具有源極，接地；具有柵極，與第一輸入選擇端第一子端(A11)連接，同時與所述第一低通電流鏡(1)連接。