[發明專利]低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201110209319.1
• 申請日: 2011-07-25
• 公開（公告）號: CN102355199A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 栗星星;趙巖;栗晶晶;葛莉華
• 申請（專利權）人: 無錫里外半導體科技有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F3/189;G06K17/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發明涉及非接觸式的自動識別技術領域，特別涉及射頻識別讀寫器中的低噪聲放大器。

背景技術

高集成度、低成本、低功耗的射頻識別(RFID，Radio?Frequency?Identification)讀寫器對建設智能化社會有重要的作用。如果將其集成到手機和其他各類移動終端，不僅可進一步拓展目前已逐步實施的眾多射頻識別應用領域，而且會產生許多全新應用領域。例如，使用者可通過手機互聯網聯接方便地掌握感興趣的產品信息，集成有RFID讀寫器和GPS接收功能的手機可無縫隙地監督、定位和跟蹤產品，從而提高消費者選擇產品的靈活性以及產品供應鏈的管理效率。目前，一些主要的手機廠商(如諾基亞)已帶頭在其主要產品中采納RFID功能，其他廠商也必將跟進。如圖1所示，ABI?Research預測2015年單在亞太地區市場就將有5千5百多萬的RFID手機消費量。

目前實用的RFID技術存在五個標準體系：

1.ISO(International?Standard?Organization)標準體系，包括ISO/IEC?18000、ISO/IEC?14443、ISO/IEC?15693系列標準；

2.EPC?Global(Electronic?Product?Code)標準體系；

3.源于日本的Ubiquitous?ID標準體系；

4.中國信息產業部的800/900MHz頻段射頻識別RFID技術應用規定[5]；

5.中國聯通手機2.4G頻率NFC應用業務規范和中國移動通信企業標準手機支付RFID-SIM卡片基礎技術方案。

按應用頻率的不同，RFID技術可分為低頻(LF)、高頻(HF)、超高頻(UHF)、微波(MW)四類；相對應的代表性頻率分別為：低頻135KHz以下、高頻13.56MHz、超高頻860M～960MHz、微波2.4GHz及5.8GHz。

RFID的應用前景廣闊，是全球競爭激烈的高技術行業之一。但由于RFID全球標準、頻段不統一，產品不兼容，地阻礙了各類應用的推廣，因此，多頻段、多標準、便攜式的RFID讀寫器市場即將應運而生。目前，基于分立元件的RFID讀寫器已經全面開發，但是設備一般比較龐大、昂貴而且功耗高。最近兩年，RFID讀寫器射頻前端系統集成芯片和標簽的研究，吸引了眾多國內外研究人員的注意，但基本上全部是局限于單一頻段和單一標準的，主要可分為HF和UHF兩大陣營。

一方面，世界經濟、技術正朝著全球化迅速發展，另一方面，不同國家和地方存在著日益嚴重的保護主義和技術/貿易壁壘；這兩種因素的存在，使得開發以不變應萬變的兼容產品勢在必行。

因此，需要提供多標準、多頻段RFID讀寫器的關鍵技術，尤其是低噪聲放大器的多頻段共享技術，使用利于大規模推廣的廉價CMOS工藝制程，開發低功耗的射頻收發器前端，為促進物聯網技術和應用的發展、建設智能社會體系作出一份貢獻。

發明內容

本發明解決的問題是，提供一種低噪聲放大器的電路，以簡化射頻識別讀寫器中的設計、進而節約設計成本。

為解決上述問題，本發明提供一種噪聲放大器，包括：

第一輸入端A，可用于輸入直流偏置信號；

第一輸入選擇端母端A1，可用于輸入射頻信號；

第一輸出端B，用于輸出處理后的信號；

第一低通電流鏡1，用于處理直流偏置信號；其第一端是所述第一輸入端A，第二端接地；

第一放大電路2，用于與所述第一低通電流鏡1配合，放大所述第一輸入選擇端母端A1輸入的射頻信號；其第一端與所述第一低通電流鏡第三端，并與所述第一輸入選擇端母端A1連接，其第二端是第一輸出端B；

其特征在于，

所述第一放大電路2至少包括第一子放大電路和第二子放大電路，所述第一子放大電路和第二子放大電路的第一端并聯并與所述第一輸入選擇端母端A1連接，第二端并聯并與第一輸出端B連接；

還包括，

選擇電路3，用于使所述子放大電路適于處理所述第一輸入選擇端母端A1輸入的射頻信號；其第一端與所述第一放大電路2連接，第二端接地；

所述選擇電路3與所述第一放大電路2連接的第一端，包括至少兩個子端，所述子端分別與所述第一子放大電路和第二子放大電路的第三端單獨連接。