[發明專利]菜花狀及表面附氧化物的多晶硅原料的清洗方法及裝置

無效

• 申請號: 201110209025.9
• 申請日: 2011-07-25
• 公開（公告）號: CN102266859A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 周羅洪;李義;王達山
• 申請（專利權）人: 營口晶晶光電科技有限公司
• 主分類號: B08B3/04
• 分類號: B08B3/04;B08B3/12
• 代理公司: 北京市惠誠律師事務所 11353
• 代理人: 王美華

1.一種菜花狀及表面附有氧化物的多晶硅原料的清洗裝置，包括酸洗池、溢流池(1)和超聲波溢流清洗池(2)，其特征在于：所述的溢流池(1)由至少一個隔板(11)依次分隔成至少兩個水池，每個水池的底部具有排水口(12)，相鄰的兩個水池之間的隔板(11)的上沿具有溢流開口(13)；

所述的超聲波清洗池(2)包括清洗水池和設置在清洗水池內的超聲波發生器(21)，清洗水池內裝有清洗液并具有循環補水裝置，所述的超聲波發生器(21)設置在清洗水池的兩相對的側壁(22)和底部(23)，還具有對清洗液加熱的加熱裝置(24)。

2.如權利要求1所述的菜花狀及表面附有氧化物的多晶硅原料的清洗裝置其特征是：所述的溢流池(1)為由兩個隔板(11)依次分隔成的三個水池。

3.如權利要求2所述的菜花狀及表面附有氧化物的多晶硅原料的清洗裝置其特征是：所述的兩個隔板(11)上的溢流開口(13)高度不同。

4.如權利要求1所述的菜花狀及表面附有氧化物的多晶硅原料的清洗裝置其特征是：所述的加熱裝置(24)為由溫控開關控制啟閉的加熱管。

5.一種多晶硅原料的清洗方法：將原材料破碎處理后進行第一次酸洗，氫氟酸與硝酸的體積比為2-3∶1；將第一次酸洗后的原料溢流漂洗，即先放入溢流池水流最下游方向的水池洗，漂洗一段時間后逐漸將原料放入水流最上游的水洗池；PH試紙測水流最上游水洗池中原料的表面酸堿度，呈中性時取出進行第二次酸洗，氫氟酸與硝酸的體積比為1∶5-6；第二次酸洗后的原料進行溢流漂洗；超聲溢流漂洗；甩干、烘干；氫氟酸的濃度為48％-50％，硝酸的濃度為67-70％，濃度單位均為ml/ml。

6.權利要求5所述的多晶硅原料的清洗方法，其特征是第一次酸洗時間為30-40min；第一次酸洗后進行溢流漂洗，水流速為10-20噸/小時，常溫下進行；第二次酸洗時間為30-40min；第二次酸洗后進行溢流漂洗，時間為30-40min；超聲溢流漂洗的時間為1-2小時，溫度55-65℃。