[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201110208375.3
• 申請日: 2011-07-21
• 公開（公告）號: CN102446779A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 田沼祐輔;石川智和
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/48
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;孟祥海

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

工序(a)，準備布線基板，所述布線基板具有：平面形狀為四邊形的上表面；設置在所述上表面上的芯片安裝區域；第一電極端子組，其形成在所述上表面，且沿著所述上表面的端部而形成；第二電極端子組，其形成在所述上表面，且俯視觀察時比所述第一電極端子組更靠內側地形成；多條第一供電線，與所述第一電極端子組中的多個第一電極分別連接，且從所述多個第一電極分別朝向所述上表面的所述端部延伸；多條第二供電線，與所述第二電極端子組中的多個第二電極分別連接，且俯視觀察時從所述多個第二電極分別朝向位于所述第一電極端子組和所述第二電極端子組之間的第一區域延伸；第一上表面側絕緣膜，其具有在所述第一區域開口的開口部，且以露出所述第一電極端子組及所述第二電極端子組以及以覆蓋所述多條第一供電線和所述第二供電線的方式形成在所述上表面上；第二上表面側絕緣膜，其以堵塞所述開口部的內部且以露出所述第一電極端子組及所述第二電極端子組的方式形成在所述第一上表面側絕緣膜上；位于所述上表面相反一側的下表面；第三電極端子組，其形成在所述下表面且分別與所述第一電極端子組及所述第二電極端子組電連接；以及第一下表面側絕緣膜，其以露出所述第三電極端子組的方式形成在所述下表面；

工序(b)，將半導體芯片安裝于所述布線基板的所述芯片安裝區域，所述半導體芯片具有平面形狀為四邊形的表面、形成在所述表面上的多個焊盤、以及位于所述表面相反一側的背面；

工序(c)，經由多個導電性部件將所述半導體芯片的所述多個焊盤與所述布線基板的所述多個第二電極分別進行電連接；

工序(d)，在所述布線基板的所述第三電極端子組分別形成多個外部端子；

其中，在所述多個第一電極端子組及所述多個第二電極端子組的表面采用電解電鍍法而形成有電鍍層，

在俯視觀察時，所述第一區域沿著所述半導體芯片的邊設置，

在俯視觀察時，所述第一區域配置在所述半導體芯片的外圍，

在俯視觀察時，所述第二上表面側絕緣膜呈環狀形成于所述半導體芯片外圍。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述布線基板通過以下的工序(a1)-(a4)制造而成；

工序(a1)，準備所述布線基板，所述布線基板具有：所述上表面；所述芯片安裝區域；所述第一電極端子組；所述第二電極端子組；所述多條第一供電線；所述多條第二供電線；形成在所述上表面上且分別與所述多條第二供電線連接的第三供電線；所述第一上表面側絕緣膜；所述下表面；所述第三電極端子組；以及所述第一下表面側絕緣膜；其中，所述第一上表面側絕緣膜具有所述開口部，且以露出所述第一電極端子組、所述第二電極端子組及所述第三供電線的方式并且以覆蓋所述多條第一供電線、所述多條第二供電線的方式形成在所述上表面上；

工序(a2)，在所述工序(a1)之后，采用電解電鍍法在從所述第一上表面側絕緣膜露出的所述第一電極端子組及所述第二電極端子組的表面形成所述電鍍層；

工序(a3)，在所述工序(a2)之后，除去從所述開口部露出的所述第三供電線；

工序(a4)，即在所述工序(a3)之后，以堵塞所述開口部的內部的方式且以使所述第一電極端子組及所述第二電極端子組露出的方式，在所述第一上表面側絕緣膜上形成所述第二上表面側絕緣膜。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述布線基板包括：具有表面及背面的基材；形成在所述基材的所述表面上的第一上表面側布線層；形成在所述第一上表面側布線層上的第三上表面側絕緣膜；形成在所述第一上表面側絕緣膜上且與所述第一上表面側布線層電連接的第二上表面側布線層；形成在所述第二上表面側布線層上的所述第一上表面側絕緣膜；形成在所述基材的所述背面且與所述第一上表面側布線層電連接的第一下表面側布線層；形成在所述第一下表面側布線層上的第二下表面側絕緣膜；形成在所述第一下表面側絕緣膜上且與所述第一下表面側布線層電連接的第二下表面側布線層；以及形成在所述第二下表面側布線層上的所述第一下表面側絕緣膜；

其中，所述基材由含有玻璃纖維的第一樹脂材料構成，所述第一上表面側絕緣膜及所述第一下表面側絕緣膜由不含所述玻璃纖維的第二樹脂材料構成。