[發明專利]半導體器件的制造方法有效
| 申請號: | 201110208375.3 | 申請日: | 2011-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN102446779A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發明(設計)人: | 田沼祐輔;石川智和 | 申請(專利權)人: | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 陳偉;孟祥海 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種半導體器件的制造技術,特別涉及一種在已安裝有半導體芯片的襯底的主面上再層積其他襯底的半導體器件的有效的技術。
背景技術
近年來,對于已安裝半導體芯片的半導體器件的多引腳化的需求越來越強烈,為了滿足這種需求,半導體器件采用BGA(Ball?Grid?Array:球門陣列封裝)的封裝方式較為有效。即在布線基板的上表面安裝半導體芯片的同時,在布線基板的下表面配置作為外部端子的多個錫球。
對于如前所述的半導體器件,例如,在日本公開特許公報特開2007-335581號公報(專利文獻1)中公開了上述的結構。另外,在所述半導體器件中使用的布線基板上,還需要在各電極的表面形成電鍍層,專利文獻1中,公開了配置電解電鍍用的供電線,并經由該供電線在各電極形成電鍍層的技術。
專利文獻1????日本特開2007-335581號公報
發明內容
在使用布線基板的所謂的BGA型的半導體器件中,為了實現半導體器件的多引腳化(高功能化)及小型化,優選如專利文獻1所示的結構,即不僅將布線基板的多個電極(焊接引線、連接盤)配置在布線基板的外緣部,還配置在中央部。
如果考慮到半導體器件的可靠性,優選如專利文獻1所述的,在布線基板的各電極的表面通過電解電鍍法形成電鍍層。其理由是,在與安裝在布線基板上的半導體芯片的各電極(焊盤)、或者安裝在該布線基板上的其他電子器件(半導體器件)進行電連接時,可提高所使用的導電性材料(焊線、突起電極等)和布線基板的電極之間的接合強度。
另外,如果單是形成電鍍層,也可采用無電解電鍍法,但是由于在形成電鍍層時,無電解電鍍法比電解電鍍法需要更長時間(電鍍膜的層積時間),所以優選采用電解電鍍法。
另一方面,采用電解電鍍法時,如專利文獻1所述,需要將向布線基板的各電極墊供電的布線(供電線)從各電極拉出到布線基板的外緣部。
但是,隨著半導體器件的多引腳化(高功能化)及小型化,對設在布線基板中央部的各電極,很難再為所述布線(供電線)單獨留出布線空間。
因此,如專利文獻1所述,將與配置在布線基板中央部側的多個電極分別連接的布線(供電線)放到某個區域(專利文獻1中為配置在布線基板中央部側的多個電極的內側)中共用(共通化),就可減少從拉到布線基板的端部為止的布線(供電線)數量,是一種有效的方法。
但是,本案發明人所研究的半導體器件中,由于在布線基板上形成的電極數量增加了,難于在布線基板的中央部側(配置在布線基板的中央部側的多個電極的內側)使所有的連接配置在布線基板中央部側的多個電極的每一個電極的布線(供電線)進行共用(共通化)。這是由于布線基板中央部的區域(配置在布線基板中央部側的多個電極的內側的區域)比布線基板外緣部的區域(配置在布線基板中央部側的多個電極的外側的區域)狹窄(小)的緣故。
因此,本案發明人對于共用的問題進行了如下探討。即在從平面上看被配置在布線基板中央部側的電極和配置在布線基板外緣部側的電極之間,使連接配置在布線基板中央部側的多個電極的每一個電極的布線(供電線)進行共用(共通化)。結果發現了如下的問題。
由于形成在布線基板上的多個電極的每一個中無共通信號(包括電源電位及基準電位)通過,所以在布線基板的各電極的表面形成電鍍層后,還需進行彼此間的電分離。
但是,因所述分離工序將形成在布線基板上表面的溝槽作為起點,所以在布線基板上產生了裂痕。
如果在布線基板上產生裂痕,裂痕將發展到形成于布線基板上的布線,從而可能造成布線的斷線等問題。所以,必須采取適當的防裂痕的對策。
另外,根據本案發明人進一步的研究發現,根據專利文獻1的技術,在分離工序中被除去的布線(供電線)的共用部分被配置在半導體芯片的正下方(被半導體芯片覆蓋的部分),通過分離工序形成的溝槽被因安裝半導體芯片所使用的芯片粘合材料(粘合劑)所堵塞,因而所述溝槽難于成為裂痕的起點。
針對上述問題,本發明的目的是為了提供可提高半導體器件的可靠性的技術。
本發明的另一目的在于,提供可實現半導體器件的多引腳化的技術。
另外,本發明的又一目的在于,提供可實現半導體器件的小型化的技術。
本發明的所述內容及所述內容以外的目的和新特征在本說明書的描述及附圖說明中寫明
下面簡要說明關于本專利申請書中所公開的發明中具有代表性的實施方式的概要。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





