[發(fā)明專利]去離子棒有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110206428.8 | 申請日: | 2011-07-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102427018B | 公開(公告)日: | 2012-04-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱駿;張旭昇;邱慈云 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 離子棒 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種去離子棒,尤其是一種用于半導(dǎo)體生產(chǎn)中的去離子棒裝置。
背景技術(shù)
去離子棒可產(chǎn)生大量的帶有正負(fù)電荷的氣團(tuán),可以將經(jīng)過它離子輻射區(qū)內(nèi)的物體上所帶有的電荷中和掉。當(dāng)物體表面所帶為負(fù)電荷時(shí),它會(huì)吸引輻射區(qū)內(nèi)的正電荷,當(dāng)物體表面所帶為正電荷時(shí),它會(huì)吸引輻射區(qū)內(nèi)的負(fù)電荷,從而使物體表面上的靜電被中和,達(dá)到消除靜電的目的。半導(dǎo)體生產(chǎn)領(lǐng)域中廣泛的使用去離子棒對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行去離子,為實(shí)現(xiàn)去離子的效果,通常去離子棒在凈化間內(nèi)需要均勻布局且擺放高度為2.8米左右,但是由于半導(dǎo)體設(shè)備不斷向更為高大發(fā)展,目前甚至有設(shè)備高度超過3米,導(dǎo)致去離子棒會(huì)和設(shè)備相撞,為設(shè)備搬運(yùn)、安裝、維護(hù)帶來諸多不便。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有的去離子棒所存在的上述問題,本發(fā)明提供一種可伸縮的去離子棒。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為:
一種去離子棒,包括桿狀本體和支架,所述桿狀本體與所述支架連接,所述桿狀本體與地面垂直,其中,還包括垂直升降裝置,所述垂直升降裝置與所述支架連接。
上述去離子棒,其中,所述桿狀本體與所述支架之間有連接部件,所述連接部件為橫向移動(dòng)裝置。
上述去離子棒,其中,所述桿狀本體由多節(jié)組成,所述桿狀本體內(nèi)置伸縮裝置。
上述去離子棒,其中,所述支架包括一對(duì)縱桿和一條橫桿,所述一對(duì)縱桿一端垂直連接于屋頂,另一端與所述橫桿連接,所述橫桿與地面平行,所述一對(duì)縱桿與所述橫桿之間有連接部件,所述連接部件為垂直升降裝置。
上述去離子棒,其中,所述桿狀本體一端與所述橫桿連接,且垂直于所述橫桿,所述桿狀本體與所述橫桿之間有連接部件,所述連接部件為橫向移動(dòng)裝置。
上述去離子棒,其中,所述垂直升降裝置為一對(duì)升降馬達(dá)。
上述去離子棒,其中,所述橫向移動(dòng)裝置為橫向移動(dòng)馬達(dá)。
上述去離子棒,其中,所述伸縮裝置為伸縮馬達(dá)。
上述去離子棒,其中,所述桿狀本體有多條,所述多條桿狀本體以一定橫向間隔與所述支架連接。
本發(fā)明的有益效果是:
可根據(jù)實(shí)際需求靈活調(diào)動(dòng)去離子棒高度和位置。解決了由于半導(dǎo)體設(shè)備自身高度接近乃至高于去離子棒擺放高度時(shí)產(chǎn)生的設(shè)備搬運(yùn)、安裝、維護(hù)帶來的諸多不便。
附圖說明
圖1是本發(fā)明去離子棒的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明去離子棒半導(dǎo)體設(shè)備搬入時(shí)的狀態(tài)圖;
圖3是本發(fā)明無離子棒半導(dǎo)體設(shè)備安裝時(shí)的狀態(tài)圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明,但不作為本發(fā)明的限定。
如圖1、圖2和圖3所示,本發(fā)明去離子棒包括桿狀本體1和支架2,桿狀本體1與支架2連接,桿狀本體1與地面垂直,其中,還包括垂直升降裝置3,垂直升降裝置3與支架2連接。本發(fā)明去離子棒使用時(shí)安裝于進(jìn)化間內(nèi),當(dāng)有高度較高的半導(dǎo)體設(shè)備6進(jìn)入凈化間時(shí),通過調(diào)整支架2上的垂直升降裝置3,使支架2升高,進(jìn)而使連接于支架2上的桿狀本體1升高,以避免桿狀本1與較高的半導(dǎo)體設(shè)備碰撞,當(dāng)進(jìn)入凈化間的半導(dǎo)體設(shè)備6高度較低時(shí),通過調(diào)整支架2上的垂直升降裝置3,使支架2下降,進(jìn)而是連接于支架2上的桿狀本體1下降,以調(diào)整輻射區(qū)的范圍,從而獲得更好的去離子效果。
進(jìn)一步的,桿狀本體1有多條,多條桿狀本體1以一定橫向間隔與支架2連接。設(shè)置多條桿狀本體1可以使去離子棒的輻射范圍均勻分布。
進(jìn)一步的,桿狀本體1與支架2之間有連接部件4,連接部件4為橫向移動(dòng)裝置。桿狀本體1與支架2之間設(shè)置橫向移動(dòng)裝置可以調(diào)節(jié)桿狀本體1的橫向位置以適應(yīng)不同橫向尺寸的半導(dǎo)體設(shè)備6。
進(jìn)一步的,桿狀本體1由多節(jié)組成,所述桿狀本體內(nèi)置伸縮裝置5。當(dāng)半導(dǎo)體設(shè)備的高度超出支架2上的垂直升降裝置3的調(diào)節(jié)范圍時(shí),通過收縮桿狀本體1可以獲得額外的高度空間,且在多條桿狀本體1的場合可以通過將各條桿狀本體1伸縮成不同的長度來適應(yīng)頂部有高度落差的半導(dǎo)體設(shè)備6,也可以利用伸縮成不同長度的多條桿狀本體1營造需要的輻射區(qū)范圍。
進(jìn)一步的,支架2包括一對(duì)縱桿21、22和一條橫桿23,一對(duì)縱桿21、22一端垂直連接于屋頂,另一端與橫桿23連接,橫桿23與地面平行,一對(duì)縱桿21、22與橫桿23之間有連接部件,連接部件為垂直升降裝置3。此種結(jié)構(gòu)的支架不占用地面空間,可以使凈化間地面空間利用率提高。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華力微電子有限公司,未經(jīng)上海華力微電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110206428.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





