[發(fā)明專利]一種腔內(nèi)倍頻激光器的激光晶體結(jié)構(gòu)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110206095.9 | 申請日: | 2011-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN102299467A | 公開(公告)日: | 2011-12-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王云征;王靜軒;張麗強(qiáng);卓壯 | 申請(專利權(quán))人: | 山東大學(xué) |
| 主分類號: | H01S3/07 | 分類號: | H01S3/07 |
| 代理公司: | 濟(jì)南圣達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221 | 代理人: | 王立曉 |
| 地址: | 250061 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 倍頻 激光器 激光 晶體結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及激光器,尤其涉及一種腔內(nèi)倍頻復(fù)合激光晶體的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
固體激光器一般采用激光晶體作為工作物質(zhì),泵浦光注入激光晶體被激光晶體吸收后,一部分轉(zhuǎn)化為激光,另一部分轉(zhuǎn)化為熱,產(chǎn)生熱效應(yīng)。熱效應(yīng)會在激光晶體內(nèi)部產(chǎn)生溫度梯度和端面形變,形成熱透鏡效應(yīng),影響激光器的穩(wěn)定性;激光晶體熱脹冷縮,產(chǎn)生應(yīng)力,容易損壞晶體;晶體表面溫升較大,導(dǎo)致表面介質(zhì)膜損壞。腔內(nèi)倍頻激光器一般采用激光晶體和倍頻晶體分離使用,直接影響激光器的小型化和穩(wěn)定性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種腔內(nèi)倍頻激光器的激光晶體結(jié)構(gòu),解決現(xiàn)有激光器的熱效應(yīng)引起的各種問題,使腔內(nèi)倍頻激光器更加易于設(shè)計和調(diào)節(jié)。
本發(fā)明采取的技術(shù)方案為:
一種腔內(nèi)倍頻激光器的激光晶體結(jié)構(gòu),包括多個層結(jié)構(gòu),依次為入射端的光學(xué)介質(zhì)膜層、未摻雜晶體層、摻雜晶體層、未摻雜晶體層、倍頻晶體層和輸出端的光學(xué)介質(zhì)膜層。
第一部分的未摻雜晶體層厚度為0.1-6mm,第二部分的摻雜晶體層厚度為0.1-30mm,第三部分的未摻雜晶體層厚度為0.1-6mm,第四部分的倍頻晶體層厚度為0.1-6mm,前三部分的厚度與泵浦功率有關(guān)和摻雜濃度有關(guān)。
所述的摻雜晶體層和倍頻晶體層通過光膠粘合在一起。
所述的未摻雜晶體層和摻雜晶體層的基質(zhì)晶體可以是同種晶體也可以是不同種晶體,包括激光器設(shè)計中常用的晶體,也包括一些不常用的晶體,例如:YAG晶體、YVO4晶體、GdVO4晶體、YAP晶體、YLF晶體等晶體。
所述的摻雜晶體層的摻雜離子包括激光器設(shè)計中的常見的激活離子,也包括一些罕見的離子,例如:Nd3+,Er3+,Ho3+,Ce3+,Tm3+,Pr3+,Gd3+,Eu3+,Yb3+,Sm2+,Dy2+,Tm2+,Cr3+,Ni2+,Co2+,Ti3+,V2+等離子,且這些離子的摻雜濃度不限。
所述的倍頻晶體層包括頻率變化中常用的倍頻晶體,也包括一些具有倍頻效應(yīng)的罕見晶體,例如:KTP晶體、LBO晶體、BBO晶體、LiNbO3晶體等晶體。
本發(fā)明摻雜晶體層作為激光工作物質(zhì),吸收泵浦光,一部分轉(zhuǎn)化為基頻光,一部分轉(zhuǎn)化為熱。未摻雜晶體層能夠通過熱傳導(dǎo)方式對摻雜晶體層進(jìn)行輔助散熱。倍頻晶體層實現(xiàn)頻率轉(zhuǎn)換,產(chǎn)生倍頻光輸出。復(fù)合晶體的入射端面鍍有對泵浦光高透、基頻光和倍頻光高反的光學(xué)介質(zhì)膜層,出射端面鍍有對基頻光和泵浦光高反、倍頻光高透的光學(xué)介質(zhì)膜層。
本發(fā)明中所述的光學(xué)介質(zhì)膜層根據(jù)不同的激光器設(shè)計有所不同,主要取決于泵浦光、基頻光和倍頻光的波長,可以使用不同膜系。
本發(fā)明的有益效果是:在摻雜晶體層的兩端都鍵合未摻雜晶體層,且光學(xué)介質(zhì)膜遠(yuǎn)離摻雜晶體,可以減小熱效應(yīng)及其對光學(xué)介質(zhì)膜的損壞;未摻雜晶體層有利于將摻雜晶體層與倍頻晶體層粘合在一起,從而方便激光器的設(shè)計與調(diào)整,大大減小激光器的體積。這種結(jié)構(gòu)相對于現(xiàn)有的分離器件,有利于小型化和大批量生產(chǎn),激光輸出更加穩(wěn)定,其不穩(wěn)定性小于3%-5%。
附圖說明:
圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明實施例1的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是實施例1沿泵浦中心處的熱效應(yīng)分析示意圖;
其中:1為入射端的光學(xué)介質(zhì)膜層,2為未摻雜晶體層,3為摻雜晶體層,4為未摻雜晶體層,5為倍頻晶體層,6為輸出端的光學(xué)介質(zhì)膜層。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。
一種腔內(nèi)倍頻激光器的激光晶體結(jié)構(gòu),包括多個晶體層,依次為入射端的光學(xué)介質(zhì)膜層、未摻雜晶體層、摻雜晶體層、未摻雜晶體層、倍頻晶體層和輸出端的光學(xué)介質(zhì)膜層。
所述的未摻雜晶體層4不僅能夠?qū)诫s晶體層3進(jìn)行輔助散熱,更重要的是可以利用光膠技術(shù)使摻雜晶體和倍頻晶體吸附在一起,且吸附表面的形變量最大值小于范得瓦爾斯力作用距離,保證激光工作過程中倍頻晶體層5不會因為晶體形變而脫落。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于山東大學(xué),未經(jīng)山東大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110206095.9/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01S 利用受激發(fā)射的器件
H01S3-00 激光器,即利用受激發(fā)射對紅外光、可見光或紫外線進(jìn)行產(chǎn)生、放大、調(diào)制、解調(diào)或變頻的器件
H01S3-02 .結(jié)構(gòu)零部件
H01S3-05 .光學(xué)諧振器的結(jié)構(gòu)或形狀;包括激活介質(zhì)的調(diào)節(jié);激活介質(zhì)的形狀
H01S3-09 .激勵的方法或裝置,例如泵激勵
H01S3-098 .模式鎖定;模式抑制
H01S3-10 .控制輻射的強(qiáng)度、頻率、相位、極化或方向,例如開關(guān)、選通、調(diào)制或解調(diào)





