[發(fā)明專利]一種腔內(nèi)倍頻激光器的激光晶體結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110206095.9
• 申請日: 2011-07-22
• 公開（公告）號: CN102299467A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王云征;王靜軒;張麗強;卓壯
• 申請（專利權(quán)）人: 山東大學(xué)
• 主分類號: H01S3/07
• 分類號: H01S3/07
• 代理公司: 濟南圣達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221
• 代理人: 王立曉

1.一種腔內(nèi)倍頻激光器的激光晶體結(jié)構(gòu)，包括多個層結(jié)構(gòu)，其特征是，依次為入射端的光學(xué)介質(zhì)膜層、未摻雜晶體層、摻雜晶體層、未摻雜晶體層、倍頻晶體層和輸出端的光學(xué)介質(zhì)膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔內(nèi)倍頻激光器的激光晶體結(jié)構(gòu)，其特征是，未摻雜晶體層、摻雜晶體層、未摻雜晶體層、倍頻晶體層厚度依次為0.1-6mm，0.1-30mm，0.1-6mm，0.1-6mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔內(nèi)倍頻激光器的激光晶體結(jié)構(gòu)，其特征是，所述的摻雜晶體層和倍頻晶體層通過光膠粘合在一起。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔內(nèi)倍頻激光器的激光晶體結(jié)構(gòu)，其特征是，所述的未摻雜晶體層和摻雜晶體層的基質(zhì)晶體是同種晶體或不同種晶體，分別選自YAG晶體、YVO₄晶體、GdVO₄晶體、YAP晶體、YLF晶體中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的腔內(nèi)倍頻激光器的激光晶體結(jié)構(gòu)，其特征是，所述的摻雜晶體層的摻雜離子選自Nd³⁺，Er³⁺，Ho³⁺，Ce³⁺，Tm³⁺，Pr³⁺，Gd³⁺，Eu³⁺，Yb³⁺，Sm²⁺，Dy²⁺，Tm²⁺，Cr³⁺，Ni²⁺，Co²⁺，Ti³⁺，V²⁺中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔內(nèi)倍頻激光器的激光晶體結(jié)構(gòu)，其特征是，所述的倍頻晶體層選自KTP晶體、LBO晶體、BBO晶體、LiNbO₃晶體中的一種。